[发明专利]降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法

说明书

本发明提供一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，属于硅片加工技术领域，本发明在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同，进而在垂直生长轴方向的切割方向上，径向的凝固时间相同，使得杂质在各点的浓度一致，进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹，使得产品的良率不会被降低。

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法。

背景技术

当晶棒拉制完成后，将晶棒切成硅片，硅片表面会出现杂质条纹，杂质条纹表现为有规律性（规律性指在硅片表面肉眼可见的色差纹）的同心圆环纹或偏心圆环纹或无规律性的条纹，若硅片表面的杂质条纹表现为无规律性的条纹，一般为氧条纹，若硅片表面的杂质条纹表现为有规律性的同心圆环纹或偏心圆环纹，一般为电阻率条纹。

现有技术中，100晶向重掺锑的晶棒混酸腐蚀（Chemical Polishing，CP）后的晶圆（Wafer）表面出现同心圆或偏心圆环纹，因为掺杂的分凝效应，杂质浓度呈现头低尾高的趋势，而电阻率呈现头高尾低的趋势，导致晶棒的尾部电阻率较低，这使得同心圆或偏心圆环纹在晶棒的尾部出现的概率较高，当晶棒切成硅片后，部分硅片通过肉眼观察环纹色差超出限度样本（限度样本表现为硅片表面存在不清晰的条纹，肉眼难以观察），导致硅片报废，影响良率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，以解决现有技术中100晶向重掺锑的晶棒切成硅片后，部分硅片通过肉眼观察环纹色差超出限度样本，导致硅片报废，影响良率的技术问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同。

优选地，当晶棒拉制70%后，以0-0.6mm/min的拉速进行晶棒拉制，随着晶棒的拉制，拉速逐渐下降，平均拉速波动为-10~10%，以使凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状。

优选地，在晶棒拉制前，设置晶棒的上、下限拉速为-0.25~0.25mm/min。

优选地，在晶棒拉制时，控制晶棒转速与坩埚转速的比大于1，即：SR/CR1.0，以使固液界面稳定。

优选地，在进行晶棒拉制时，通入预定流量的氩气。

优选地，所述氩气的预定流量为0-80slm。

优选地，在开炉前，保证单晶炉中的中轴轴心与炉筒、保温筒、加热器的十字方向偏差小于第一预定距离，且确认中轴轴心与重锤重心偏差小于第二预定距离。

优选地，所述第一预定距离为3mm。

优选地，所述第二预定距离为3mm。

优选地，在晶棒拉制过程中，若出现晶棒直径变化较大时，仅通过调整温度控制晶棒直径。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明在晶棒拉制时，通过控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同，进而在垂直生长轴方向的切割方向上，径向的凝固时间相同，使得杂质在各点的浓度一致，进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹，使得产品的良率不会被降低。

具体实施方式

以下对本发明的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。

一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同。