[发明专利]降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法有效
| 申请号： | 202210604027.6 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114921846B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 魏兴彤;闫龙;芮阳;张昆;徐慶晧;王黎光;曹启刚 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 重掺锑 100 杂质 条纹 方法 | ||
1.一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同。
2.如权利要求1所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，当晶棒拉制70%后，以0-0.6mm/min的拉速进行晶棒拉制，随着晶棒的拉制，拉速逐渐下降，平均拉速波动为-10~10%，以使凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状。
3.如权利要求2所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，在晶棒拉制前，设置晶棒的上、下限拉速为-0.25~0.25mm/min。
4.如权利要求3所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，在晶棒拉制时，控制晶棒转速与坩埚转速的比大于1，即：SR/CR1.0，以使固液界面稳定。
5.如权利要求4所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，在进行晶棒拉制时，通入预定流量的氩气。
6.如权利要求5所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，所述氩气的预定流量为0-80slm。
7.如权利要求6所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，在开炉前，保证单晶炉中的中轴轴心与炉筒、保温筒、加热器的十字方向偏差小于第一预定距离，且确认中轴轴心与重锤重心偏差小于第二预定距离。
8.如权利要求7所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，所述第一预定距离为3mm。
9.如权利要求8所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，所述第二预定距离为3mm。
10.如权利要求9所述的降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，其特征在于，在晶棒拉制过程中，若出现晶棒直径变化较大时，仅通过调整温度控制晶棒直径。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，未经宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210604027.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
