[发明专利]一种自润滑涂层及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210599714.3 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115287610B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘意春;闫安;田登丰;吴上桥;王丹;李才巨;李凤仙;陶静梅;鲍瑞;方东;易健宏 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/35;C23C14/06;B23D79/00 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 650093 云南省*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 润滑 涂层 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种自润滑涂层，其特征在于，所述自润滑涂层由内至外包括：Ti/TiN过渡层和复合涂层；其中所述复合涂层为交替沉积的TiCN硬涂层和MoS2/C软涂层，所述Ti/TiN过渡层和所述TiCN硬涂层接触，自润滑涂层最外层为MoS2/C软涂层，交替沉积2～4次；
所述自润滑涂层的制备方法包括以下步骤：
(1)在基体上生长Ti/TiN过渡层；
(2)于Ti/TiN过渡层上交替生长TiCN硬涂层和MoS2/C软涂层；
生长所述Ti/TiN过渡层的方法为多弧离子镀；生长所述TiCN硬涂层的方法为磁控溅射；生长所述MoS2/C软涂层的方法为磁控溅射；
所述多弧离子镀的偏压电压为-100～-300V，弧电流为60～90A，气压为0.5～1Pa，电弧镀Ti的时间为10～20min，通入N2后，N2流量为150sccm，电弧镀TiN的时间为20～30min；
磁控溅射TiCN硬涂层时，偏压电压为-100V，Ti靶电流为1～2A，石墨靶电流为0.5～1.5A，气压为0.5～1Pa，沉积时间为30～60min；
磁控溅射MoS2/C软涂层时，关闭Ti靶，偏压电压为-100V，MoS2靶电流为1～2A，气压为0.5～1Pa，沉积时间为30～60min。
2.一种权利要求1所述自润滑涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在基体上生长Ti/TiN过渡层；
(2)于Ti/TiN过渡层上交替生长TiCN硬涂层和MoS2/C软涂层；
生长所述Ti/TiN过渡层的方法为多弧离子镀；生长所述TiCN硬涂层的方法为磁控溅射；生长所述MoS2/C软涂层的方法为磁控溅射；
所述多弧离子镀的偏压电压为-100～-300V，弧电流为60～90A，气压为0.5～1Pa，电弧镀Ti的时间为10～20min，通入N2后，N2流量为150sccm，电弧镀TiN的时间为20～30min；
磁控溅射TiCN硬涂层时，偏压电压为-100V，Ti靶电流为1～2A，石墨靶电流为0.5～1.5A，气压为0.5～1Pa，沉积时间为30～60min；
磁控溅射MoS2/C软涂层时，关闭Ti靶，偏压电压为-100V，MoS2靶电流为1～2A，气压为0.5～1Pa，沉积时间为30～60min。
3.根据权利要求2所述的自润滑涂层制备方法，其特征在于，所述基体在生长Ti/TiN过渡层前还包含清洗步骤。
4.一种权利要求1所述自润滑涂层在制备机械切削刀具中的应用。
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