[发明专利]一种光电催化剂及其制备方法和应用在审
| 申请号: | 202210598931.0 | 申请日: | 2022-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN116024599A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
| 发明(设计)人: | 郭思彤;刘婷;杜彧为;欧阳婷 | 申请(专利权)人: | 广州大学 |
| 主分类号: | C25B11/051 | 分类号: | C25B11/051;C25B11/091;C25B3/26;C25B1/23;C25B1/55;C25B3/03;C25B3/21 |
| 代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 孔令环 |
| 地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光电 催化剂 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种光电催化剂,其特征在于:所述光电催化剂为Cl离子修饰的ZnO/Cu2O纳米管阵列,其中以ZnO纳米棒阵列为模板,将Cu2O负载到ZnO上,形成ZnO/Cu2O复合纳米管阵列,而Cl离子主要吸附在连续的ZnO/Cu2O纳米管阵列表面,部分掺杂在ZnO/Cu2O晶格中。
2.根据权利要求1所述的光电催化剂,其特征在于:所述光电催化剂中Zn2+、Cu+、Cl-的摩尔比为4:1:2。
3.一种光电催化剂制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:采用恒电流电化学沉积法在导电玻璃片上沉积ZnO纳米棒阵列;
S2:将S1中得到的ZnO纳米棒阵列放入含CuCl2的Cu2O镀液中,通过恒电位电化学沉积法在导电玻璃上沉积Cu2O后取出并进行干燥处理,得到ZnO/Cu2O/Cl-纳米管阵列,即得所述光电催化剂。
4.根据权利要求3所述的光电催化剂制备方法,其特征在于:所述S1为将乙酸铵、硝酸锌和六次甲基四胺溶于水中,得到ZnO镀液,然后将ZnO镀液倒入电解槽中,把一片洁净且干燥的氟锡氧化物导电玻璃片放入所解槽中,加热以在玻璃片上电镀一层均匀的ZnO,电镀结束后,取出玻璃片并用去离子水冲洗,得到ZnO纳米棒阵列。
5.根据权利要求3所述的光电催化剂制备方法,其特征在于:所述S1中乙酸铵、硝酸锌和六次甲基四胺的质量比为乙酸铵:硝酸锌:六次甲基四胺=1:7.62:1.79,电镀温度为90℃,电镀时间为50min,电镀电流为-2.0mA。
6.根据权利要求3所述的光电催化剂制备方法,其特征在于:所述S1中的ZnO镀液中,乙酸铵的质量浓度为0.39g/500mL,硝酸锌的质量浓度为2.97g/500mL,六次甲基四胺的质量浓度为0.70g/500mL。
7.根据权利要求3所述的光电催化剂制备方法,其特征在于:所述S2为将CuCl2溶于水中,得到含CuCl2的Cu2O镀液,然后将Cu2O镀液倒入电解槽中,将S1中得到的ZnO纳米棒阵列放入所述电解槽中,加热并在玻璃片上电镀一层均匀的Cu2O,电镀结束后,取出玻璃片并用去离子水冲洗,得到Cl离子修饰的ZnO/Cu2O纳米管阵列,即得光电催化剂。
8.根据权利要求3所述的光电催化剂制备方法,其特征在于:所述S2中在ZnO纳米棒阵列上电镀Cu2O时的电镀温度为60℃,电镀时间为40min,电镀电位为-0.2V;CuCl2水溶液中CuCl2的浓度为0.005mol/L,溶液体积为100mL。
9.一种根据权利要求1或2所述光电催化剂的应用,其特征在于:将所述光电催化剂应用于催化CO2还原。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州大学,未经广州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210598931.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像处理方法与电子设备
- 下一篇:处理交通信息的方法和装置





