[发明专利]氮化硅微晶板及其生产工艺

说明书

本发明提供氮化硅微晶板及其生产工艺，涉及氮化硅微晶板生产工艺技术领域。该氮化硅微晶板及其生产工艺，其组成为含S i C98％的粗、中、细颗粒S i C和含S i大于98％，颗粒小于10μm，且颗粒最大不大于20μm的工业硅粉为原料，包括以下步骤：S1.准备好含S i C98％的粗、中、细颗粒S i C和含S i大于98％,颗粒小于10μm，且颗粒最大不大于20μm的工业硅粉，进行配料，得到混料。通过控制氮化硅微晶板生产所需的原材料的基础上、严格把控氮化硅微晶板从配料、混料、成型、干燥、烧成和检测的每一个生产工艺流程，既缩减了其烧结的难度，也极大避免生产工艺中存在的不稳定变量因素，有利于提高增产效益和节能降耗效益。

技术领域

本发明涉及氮化硅微晶板生产工艺技术领域，具体为氮化硅微晶板及其生产工艺。

背景技术

氮化硅微晶板是由氮化硼、氧化锆、碳化硅、氮化硅等主要原材料构成，原材料经压制成型制成坯体，烘干后，釆用多次性烧成工艺的高温环境下制成的耐磨、耐高温和热震稳定性高的材料，且非常适合在水泥行业易结皮、需耐磨、耐高温的部位使用，特别是烧危废及原材料有害成分较高的水泥企业使用效果更为明显，因此对氮化硅微晶板的需求也越来越广泛，对其的生产工艺要求也越来越严格和规范。

氮化硅微晶板生产工艺中，由于Si3N4与SiC具有相似的晶体结构，且均为共价健极化合物，烧结比较困难，同时生产工艺中的也存在不稳定变量因素，如果不从氮化硅微晶板原材料挑选到检测出产的每一阶段工艺流程进行严格把控，无法提高增产效益和节能降耗效益。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了氮化硅微晶板及其生产工艺，解决了氮化硅微晶板烧结比较困难，无法提高增产效益和节能降耗效益。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：氮化硅微晶板，其组成为含SiC98％的粗、中、细颗粒SiC和含Si大于98％，颗粒小于10μm，且颗粒最大不大于20μm的工业硅粉为原料。

优选的，氮化硅微晶板的生产工艺，包括以下步骤：

S1.准备好含SiC98％的粗、中、细颗粒SiC和含Si大于98％,颗粒小于10μm，且颗粒最大不大于20μm的工业硅粉，进行配料，得到混料；

S2.将原料中的颗粒放入混料机中混炼3分钟，然后按比例将已称重好的水、水溶性结合剂缓慢倒入混料机中混炼5分钟，以便原料中的颗粒能充分的吸收水份，颗粒混炼5分钟后再加入粉状原料、结合剂，混料15分钟，即可完成混料，然后将混料倒入料车静置，静置完成后进行二次混炼，混炼结束拉至成型车间成型；

S3.往模具中倒入称重原料，同时在19.6MPa的压力下成型；

S4.往多孔金属干燥板中放置半成品砖，对半成品砖进行自然阴干处理，自然阴干之后送入干燥窑进行干燥处理；

S5.往窑内放入干燥制品，调节烧成控制的温度，对干燥制品进行氮化烧成处理，烧成之后进行自然冷却，即可完成制品成品。

优选的，所述S2步骤二中，水与水溶性结合剂的混合比例为2:1。。

优选的，所述S4步骤中，干燥窑中干燥处理温度为150℃-500℃，保温温度为180℃。

优选的，所述S5步骤中，烧成处理的烧成温度为800℃-1800℃，保温温度为800℃-1350℃。

优选的，所述S5步骤中，制品烧成结束自然冷却至零下200℃-210℃。

优选的，所述S5步骤中，氮化烧成完成后的制品颜色为灰白色和淡黄色，表面不呈现玻璃光泽的黑色，制品合格。

本发明提供了氮化硅微晶板及其生产工艺。具备以下有益效果：