[发明专利]一种加热器及其工作方法

权利要求书

1.一种加热器，其特征在于，所述加热器包括：

端子，所述端子设置成能够经由所述端子向所述加热器供电；

圆筒形的主体，所述主体形成为能够设置在用于容纳多晶硅原料的坩埚的周向外部，

其中，所述主体的周向壁设置成能够提供与施加于所述坩埚的磁场相适配的热场，以使得由所述多晶硅原料拉制成的单晶硅棒具有期望的氧浓度。

2.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述主体的周向壁形成为在同一横截面中具有不均匀的厚度。

3.根据权利要求2所述的加热器，其特征在于，所述主体的周向壁形成为：从所述主体的周向壁上的第一位置沿所述主体的周向方向至与所述第一位置中心对称的第二位置，所述主体的周向壁具有先逐渐减小再逐渐增大的厚度。

4.根据权利要求3所述的加热器，其特征在于，当所述磁场为水平磁场且所述期望的氧浓度为高氧浓度时，通过所述第一位置和所述第二位置的直径方向与所述水平磁场的方向垂直；

当所述磁场为水平磁场且所述期望的氧浓度为低氧浓度时时，通过所述第一位置和所述第二位置的直径方向与所述水平磁场的方向平行。

5.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，围绕所述主体的周向壁形成有平行于所述主体的轴向方向延伸且彼此间隔开的多个狭槽，

其中，所述多个狭槽布置成：从所述主体的周向壁上的第一位置沿所述主体的周向方向至与所述第一位置中心对称的第二位置，所述多个狭槽具有先逐渐增大再逐渐减小的长度；和/或者

所述多个狭槽布置成：从所述主体的周向壁上的第一位置沿所述主体的周向方向至与所述第一位置中心对称的第二位置，所述多个狭槽中的相邻两个狭槽之间的间距先逐渐减小再逐渐增大。

6.根据权利要求5所述的加热器，其特征在于，当所述磁场为水平磁场且所述期望的氧浓度为高氧浓度时，通过所述第一位置和所述第二位置的直径方向与所述水平磁场的方向垂直；

当所述磁场为水平磁场且所述期望的氧浓度为低氧浓度时时，通过所述第一位置和所述第二位置的所述直径方向与所述水平磁场的方向平行。

7.一种加热器的工作方法，其特征在于，所述工作方法用于根据权利要求1至6中任一项所述的在拉晶过程中使用的加热器，所述方法包括：

通过端子向所述加热器供电；

通过调整所述加热器的圆筒形的主体的周向壁以提供与施加于坩埚的磁场相适配的热场，从而使得由多晶硅原料拉制成的单晶硅棒具有期望的氧浓度。

8.根据权利要求7所述的工作方法，其特征在于，所述主体的周向壁形成为：从所述主体的周向壁上的第一位置沿所述主体的周向方向至与所述第一位置中心对称的第二位置，所述主体的周向壁具有先逐渐减小再逐渐增大的厚度；

相应地，所述通过调整所述加热器的圆筒形的主体的周向壁以提供与施加于坩埚的磁场相适配的热场，从而使得由多晶硅原料拉制成的单晶硅棒具有期望的氧浓度，包括：当所述磁场为水平磁场且所述期望的氧浓度为低氧浓度时，将所述加热器的圆筒形的主体的周向壁调整为通过所述第一位置和所述第二位置的直径方向与所述水平磁场的方向平行；当所述磁场为水平磁场且所述期望的氧浓度为高氧浓度时，将所述加热器的圆筒形的主体的周向壁调整为通过所述第一位置和所述第二位置的直径方向与所述水平磁场的方向垂直。