[发明专利]磁性存储器件在审
申请号: | 202210577683.1 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN115411063A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 金晥均;朴正宪;申喜珠;赵泳俊;李俊明;郑峻昊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 马晓蒙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 存储 器件 | ||
1.一种磁性存储器件,包括:
依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案;
在所述被钉扎磁性图案和所述自由磁性图案之间的隧道势垒图案;
在所述自由磁性图案上的顶电极;以及
在所述自由磁性图案和所述顶电极之间的盖图案,
其中所述盖图案包括:
下盖图案;
在所述下盖图案和所述顶电极之间的上盖图案;
在所述下盖图案和所述上盖图案之间的第一非磁性图案;以及
在所述第一非磁性图案和所述上盖图案之间的第二非磁性图案,所述下盖图案和所述上盖图案中的每个包括非磁性金属,以及
所述第一非磁性图案和所述第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件,其中
所述第一非磁性图案包括第一金属,
所述第二非磁性图案包括第二金属,以及
所述第二金属的氧化电位大于所述第一金属的氧化电位。
3.根据权利要求2所述的磁性存储器件,其中所述第一金属和所述第二金属中的每种具有比所述下盖图案和所述上盖图案的每个中包括的所述非磁性金属的氧化电位大的氧化电位。
4.根据权利要求2所述的磁性存储器件,其中
所述第一金属和所述第二金属是非磁性金属,以及
所述下盖图案和所述上盖图案中的每个的所述非磁性金属不同于所述第一金属和所述第二金属。
5.根据权利要求1所述的磁性存储器件,其中
所述第一非磁性图案包括第一金属或所述第一金属的合金,所述第一金属是Ta。
6.根据权利要求5所述的磁性存储器件,其中所述第一金属的所述合金包括所述第一金属和硼(B)的合金。
7.根据权利要求5所述的磁性存储器件,其中
所述第二非磁性图案包括第二金属或所述第二金属的合金,以及
所述第二金属是Hf、Zr、Sr、Sc、Y、Ca、Be、Ba或Ti。
8.根据权利要求7所述的磁性存储器件,其中所述第二金属的所述合金包括所述第二金属和硼(B)的合金、所述第二金属和氮(N)的合金、或所述第二金属和硅(Si)的合金。
9.根据权利要求1所述的磁性存储器件,其中
所述第一非磁性图案和所述第二非磁性图案中的每个具有在垂直于所述衬底的顶表面的方向上的厚度,以及
所述第二非磁性图案的所述厚度大于所述第一非磁性图案的所述厚度。
10.根据权利要求1所述的磁性存储器件,还包括在所述自由磁性图案和所述盖图案之间的第一子图案,
其中所述第一子图案在所述自由磁性图案和所述下盖图案之间并包括金属氧化物层。
11.根据权利要求10所述的磁性存储器件,还包括在所述第一子图案和所述下盖图案之间的第二子图案,
其中所述第二子图案包括非磁性金属,以及
其中所述第二子图案的所述非磁性金属不同于所述下盖图案的所述非磁性金属。
12.根据权利要求1所述的磁性存储器件,还包括在所述隧道势垒图案的侧表面上的保护层,
其中所述第一非磁性图案包括第一金属,
其中所述第二非磁性图案包括不同于所述第一金属的第二金属,以及
其中所述保护层包括金属氧化物,所述金属氧化物包含选自所述第一金属和所述第二金属的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的