[发明专利]功率放大电路在审

专利信息
申请号: 202210576008.7 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114826175A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 王润华;杨海玲;黄耀;王亚宁;连夏梦 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H03F3/21 分类号: H03F3/21;H03F3/45
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 功率 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种功率放大电路,其特征在于,包括第一MOS管模块、第二MOS管模块和变压器模块,其中:

所述第一MOS管模块包括第三NMOS管和第四NMOS管,所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极均输入固定电平信号;

所述第二MOS管模块包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接,所述第二NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接,所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均输入驱动信号,且所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地;

所述变压器模块包括主级线圈和次级线圈,所述主级线圈一端与所述第三NMOS管的漏极连接,所述主级线圈另一端与所述第四NMOS管的漏极连接,所述次级线圈的一端与所述第三NMOS管的源极连接,所述次级线圈的另一端与所述第四NMOS管的源极连接,且所述主级线圈和所述次级线圈之间通过互感形成变压器。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极之间的目标电感值为A,所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极之间的目标电感值为B,所述主级线圈的电感值为X,所述次级线圈的电感值为Y,所述主级线圈中流过的电流为i1,所述次级线圈中流过的电流为i2,所述变压器模块的耦合系数为n,其中:

3.根据权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述第三NMOS管的漏极与所述主级线圈之间连接有输出端,所述第四NMOS管的漏极和所述主级线圈之间连接有输出端。

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