[发明专利]一种基于化学气相沉积法制备多波长发射的钙钛矿微米片的方法有效

专利信息
申请号: 202210574231.8 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114988462B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 庄秀娟;储安石 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C01G21/00 分类号: C01G21/00;C09K11/66
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 蒋太炜
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 化学 沉积 法制 波长 发射 钙钛矿 微米 方法
【权利要求书】:

1.一种基于化学气相沉积法制备多波长发射的全无机钙钛矿微米片的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将氯化铒与摩尔比1:1混合的溴化铯和氯化铅粉末分别放入两个磁舟中,然后将磁舟推入直径为25 mm,长为80cm的两端封闭的管式炉内的石英管高温区内;

2)将1 cm × 1.5 cm SiO2/Si晶片衬底放置在磁舟上,然后将磁舟置于石英管下游的低温区域;

3)将管式炉密封后,通入流速为1000sccm以上的高纯惰性气体5分钟进行洗气,使反应过程处于氩气氛围,然后将高纯惰性气体流速调节至25sccm,并开启升温程序;

4)将ErCl3的所在的区间的温度在25分钟内从室温升至831~833℃,保温10分钟,此时SiO2/Si晶片衬底沉积区温度为530~670℃;溴化铯和氯化铅组成的混合粉末的受热温度为750~820℃;

5)加热过程完成后,待管式炉降至室温,取出样品;

沉积时,惰性气体流速为25sccm且ErCl3的受热温度为831~833℃以及SiO2/Si晶片衬底沉积区温度为大于等于530℃且小于580℃时,所得Er3+掺杂全无机钙钛矿微米片,1秒时采集的光谱发射峰为452nm,激光照射至发光光谱稳定,10分钟时采集光谱发射峰为455 nm、515 nm;或

沉积时,惰性气体流速为25sccm且ErCl3的受热温度为831~833℃以及SiO2/Si晶片衬底沉积区温度为大于等于580℃且小于630℃时,所得Er3+掺杂全无机钙钛矿微米片,1秒时采集的光谱发射峰为480 nm,激光照射至发光光谱稳定,10分钟时采集光谱发射峰为455 nm、510 nm、680 nm;或

沉积时,惰性气体流速为25sccm且ErCl3的受热温度为831~833℃以及SiO2/Si晶片衬底沉积区温度为大于等于630℃且小于等于670℃时,所得Er3+掺杂全无机钙钛矿微米片,在激光照射下发光光谱稳定,采集光谱的发射峰为475 nm、800 nm。

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