[发明专利]一种提升PERC太阳电池光电转换率的背钝化工艺

权利要求书

1.一种提升PERC电池光电转换效率的背钝化工艺，采用MAIA背钝化机，MAIA背钝化机包括氧化铝腔体和氮化硅腔体，氧化铝腔体用于对硅片镀氧化铝膜，氮化硅腔体用于对硅片镀氮化硅膜，氮化硅膜覆盖于氧化铝膜表面，其特征在于：包括以下步骤：

(a)硅片经过常规制绒、扩散、SE激光、刻蚀和退火工艺后等待进入MAIA背钝化机；

(b)将氧化铝腔体内的工艺带速设为220～250cm/min，腔体温度设为350～450℃，工艺压强设为0.11～0.15mbar；

(c)将氧化铝腔体内第一根气路笑气流量设为300～700sccm，氩气流量设为0sccm，TMA流量设为0mg/min，微波峰值功率设为1500～2500W，占空比设为4/18；将氧化铝腔体内第二根气路笑气流量设为450～850sccm，氩气流量设为600～1000sccm，TMA流量设为200～400mg/min，微波峰值功率设为1800～3200W，占空比设为4/18；氧化铝腔体内的反应方程式为：2Al(CH₃)₃+5Ar+20N₂O→Al₂O₃+2CO₂+4CO+9H₂O+20N₂+5Ar；

(d)将氮化硅腔体内的工艺带速设为250～290cm/min，腔体温度设为350～450℃，工艺压强设为0.23～0.27mbar；

(e)将氮化硅腔体内的第一至三根气路氨气流量设为400～600sccm，硅烷流量设为250～350sccm，将氮化硅腔体内第四、五根气路的氨气流量设为800～1000sccm，硅烷流量设为220～320sccm；将第六根气路左中右三段氨气的流量分别设置为0～250sccm,0～700sccm,0～250sccm；左中右三段硅烷的流量分别设置为0～100sccm，0～250sccm，0～100sccm；氮化硅腔体内的反应方程式为：SiH₄+NH₃→Si_xN_yH_z+H₂；

(f)将氮化硅腔体内六根气路的微波峰值功率设为3800W，占空比设为8/8；

(g)硅片随镀膜的长方形石墨载板先进入氧化铝腔体镀氧化铝膜，然后进入氮化硅腔体镀氮化硅膜，完成硅片的背钝化工艺。

2.根据权利要求1所述的一种提升PERC电池光电转换效率的背钝化工艺，其特征在于：所述的硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片，优先采用P型单晶硅片。