[发明专利]一种钨掺杂碳化钽铪薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210561787.3 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114959572A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨丽;杨果;陈环宇;银凤;吴响 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 钟丹 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料，其特征在于：所述钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料，其化学结构式为：Ta(1-x)/2Hf(1-x)/2WxC，其中0＜X≦2。
2.根据权利要求1所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料，其特征在于：所述钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料，其化学结构式为：Ta(1-x)/2Hf(1-x)/2WxC，其中1＜X≦2。
3.权利要求1或2所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射的方式，将Ta0.5Hf0.5C靶材与钨靶材同时溅射于Si衬底中，即得钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料。
4.根据权利要求3所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Ta0.5Hf0.5C靶材与钨靶材的纯度均≧99.99％。
5.根据权利要求3所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Si衬底为Si(100)基片。
6.根据权利要求3所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射在氩气氛围下进行，氩气的纯度≧99.99％。
7.根据权利要求3所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述溅射过程中，金属钨靶的溅射功率为10-20w，Ta0.5Hf0.5C靶的溅射功率为70w。
8.根据权利要求3所述的一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述溅射的时间为2h。
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