[发明专利]MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法及探测器

权利要求书

1.一种MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：包括：

获取Ti₃C₂T_x胶体溶液，以及掺有Sb的n-Ge衬底，清除n-Ge衬底表面杂质，然后将Ti₃C₂T_x胶体溶液覆在n-Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti₃C₂T_x膜层使得Ti₃C₂T_x膜层与n-Ge衬底形成肖特基异质结。

2.根据权利要求1所述的MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：所述Ti₃C₂T_x膜层的厚度500-600nm。

3.根据权利要求1所述的MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：获取LiF粉末并与HCl溶液进行混合均匀，再获取Ti₃AlC₂粉末加入到LiF与HCl的混合溶液中，搅拌直至生成Ti₃C₂T_x，对Ti₃C₂T_x进行洗涤，洗涤后离心去除掉上清液，然后进行冷冻干燥直至恒重，再加入DMF溶液冰浴超声分散制得Ti₃C₂T_x胶体溶液。

4.根据权利要求3所述的MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：将Ti₃AlC₂粉末缓慢加入到LiF与HCl的混合溶液中，并在35-40℃下油浴搅拌直至生成Ti₃C₂T_x溶液。

5.根据权利要求3所述的MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：在对Ti₃C₂T_x进行洗涤的时候，先利用去离子水在3500-5000rpm下离心洗涤5-10min，离心结束后去除掉上清液，重复上述过程直至Ti₃C₂T_x溶液的ph值满足要求。

6.根据权利要求1所述的MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：在Ti₃C₂T_x胶体溶液覆膜前，对n-Ge衬底表面进行清洗，先将n-Ge衬底浸泡在浓度为10-15％的HF溶液中5-10min，取出n-Ge衬底再利用丙酮、甲醇依次超声清洗5-10min，最后利用紫外臭氧清洗15-20min。

7.一种MXene/n-Ge高速宽带光电探测器，其特征在于：由权利要求1至6中任意一项所述的MXene/n-Ge高速宽带光电探测器的制作方法制得而成。