[发明专利]培育卵孢小奥德蘑出菇的方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202210544820.1 申请日: 2022-05-19
公开(公告)号: CN116195470A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 秦文韬;王守现;刘宇;高琳;宋爽;高琪;赵娟;严冬;郭远 申请(专利权)人: 北京市农林科学院
主分类号: A01G18/00 分类号: A01G18/00;A01G18/20
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 王灏增
地址: 100097 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 培育 卵孢小奥德蘑出菇 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种培育卵孢小奥德蘑出菇的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)在栽培场中挖出用于种植菌棒的畦;

2)将菌棒垂直排列于所述畦内,用覆土材料覆盖后养菌;

3)然后浇水,保持棚内温度为25-26℃,培养至出菇;

其中,所述覆土材料包括30-50重量份的壤土与50-70重量份的草炭土。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述覆土材料包括30-50重量份的壤土、50-70重量份的草炭土和1重量份的生石灰组成。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述覆土材料中铵态氮的含量为5.04-16.30mg/kg、硝态氮的含量为103.30-327.33mg/kg、速效磷的含量为65.37-76.36mg/kg、有机质含量的含量为79.77-134.00g/kg,所述覆土材料的pH为7.55-7.88。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述覆土材料中铵态氮的含量为16.30mg/kg、硝态氮的含量为327.33mg/kg、速效磷的含量为65.37mg/kg、有机质含量的含量为134.00g/kg、全盐含量的含量为7.48g/kg,所述覆土材料的pH为7.55。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述步骤2)中每个畦内菌棒的种植间距为2-3cm,所述覆土厚度为3-5cm。

6.一种用于培育卵孢小奥德蘑出菇的覆土材料,其特征在于,所述覆土材料包括30-50重量份的壤土与50-70重量份的草炭土的混合物。

7.根据权利要求6所述的覆土材料,其特征在于,所述覆土材料为30重量份的壤土、70重量份的草炭土和1重量份的生石灰。

8.根据权利要求6所述的覆土材料,其特征在于,所述覆土材料中铵态氮的含量为5.04-16.30mg/kg、硝态氮的含量为103.30-327.33mg/kg、速效磷的含量为65.37-76.36mg/kg、有机质含量的含量为79.77-134g/kg,所述覆土材料的pH为7.55-7.88。

9.根据权利要求8所述的覆土材料,其特征在于,所述覆土材料中铵态氮的含量为16.30mg/kg、硝态氮的含量为327.33mg/kg、速效磷的含量为65.37mg/kg、有机质含量的含量为134.00g/kg、全盐含量的含量为7.48g/kg,所述覆土材料的pH为7.55。

10.权利要求1-5任一所述的方法和权利要求6-9任一所述的覆土材料,在培育产量高和或生物学效率高的卵孢小奥德蘑中的应用。

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