[发明专利]基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法及应用

权利要求书

1.一种基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：制备碳纳米洋葱粒子；

将所述碳纳米洋葱粒子、成膜剂和去离子水按比例混合后制成混合溶液；

将所述混合溶液经超声分散后，制备获得到基于碳纳米洋葱的可饱和吸收体。

2.根据权利要求1所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述混合溶液中碳纳米洋葱粒子的质量份数为0.2份～1.63份，去离子水的质量份数为30～50份，所述成膜剂的质量份数为8～25份。

3.根据权利要求1或2所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述混合溶液经超声分散后，涂抹在玻璃表面或沉积在拉锥光纤、D型光纤或包层腐蚀光纤表面，或填充在光子晶体空气孔中，干燥后获得到基于碳纳米洋葱的可饱和吸收体。

4.根据权利要求3所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述成膜剂为羧甲基纤维素钠、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述碳纳米洋葱粒子的制备包括：

将Ni-Fe/Al₂O₃和 NiO-Fe₂O₃的混合粉末撒入恒温箱中，所述恒温箱温度设定为第一反应温度；其中，Ni-Fe/Al2O3的质量份数为0.2份～1.63份，NiO-Fe2O3的质量份数为30～50份；

将氢气充入所述恒温箱内对所述混合粉末进行还原，并在氮气气氛下冷却至室温得到Ni-Fe粉末，其中，所述氢气的充入流量为100mL/min，充入时间为1h；

将所述恒温箱升温至第二反应温度，并充入甲烷、氮气和氢气，恒温处理够,通过化学气相沉积法生长出碳纳米洋葱沉淀物；

对所述恒温箱进行绝热处理，并在氮气气氛下冷却至室温，将所述碳纳米洋葱沉淀物合成碳纳米洋葱粒子。

6.根据权利要求5所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述第一反应温度设定为450℃-500℃。

7.根据权利要求6所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述第二反应温度为750℃-950℃，所述升温至第二反应温度的升温速度为10℃/分钟。

8.根据权利要求5所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法，其特征在于，所述恒温箱的冷却速率为5℃/min。

9.一种基于碳纳米洋葱可饱和吸收体，其特征在于，如权利要求1-8中任一项所述的基于碳纳米洋葱粒子的可饱和吸收体制备方法制备的可饱和吸收体。

10.一种如权利要求9所述的基于碳纳米洋葱可饱和吸收体在光纤激光器中的应用。