[发明专利]用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器

说明书

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。

本申请是申请日为2016年10月7日、申请号为201680056747.6、发明名称为“用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器”的发明专利申请的分案申请。

背景

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热工艺腔室。

背景技术

半导体基板被处理以用于各种各样的应用，包括集成装置和微装置的制造。在处理期间，基板被定位在工艺腔室内的基座上。基座由支撑轴支撑，支撑轴可绕中心轴线旋转。对加热源(诸如设置在基板的下方和上方的多个加热灯)的精确控制允许基板在非常严格的公差内被加热。基板的温度可影响沉积在基板上的材料的均匀性。

尽管对基板加热进行精确控制，已观察到在基板上的某些位置处形成谷(较低的沉积)。因此，存在对于在半导体处理中的改善的热工艺腔室的需求。

发明内容

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热工艺腔室。在一个实施方式中，工艺腔室包括：第一拱形结构；第二拱形结构；基板支撑件，设置在第一拱形结构和第二拱形结构之间；第一多个加热元件，设置在第一拱形结构的上方，其中第一拱形结构设置在第一多个加热元件和基板支撑件之间；和高能量辐射源组件，设置在第一多个加热元件的上方，其中高能量辐射源组件包含具有至少100W的总输出功率的高能量辐射源。

在另一实施方式中，工艺腔室包括：第一拱形结构；第二拱形结构；基板支撑件，设置在第一拱形结构和第二拱形结构之间；第一多个加热元件，设置在第一拱形结构上方，其中第一拱形结构设置在第一多个加热元件和基板支撑件之间；支撑构件，设置在第一多个加热元件上方，其中第一多个加热元件设置在第一拱形结构和支撑构件之间；和第一高能量辐射源组件，设置在支撑构件上，其中高能量辐射源组件包含：高能量辐射源；和支架，用于将高能量辐射源组件耦接到支撑构件。

在另一实施方式中，工艺腔室包括：第一拱形结构；第二拱形结构；基板支撑件，设置在第一拱形结构和第二拱形结构之间；多个加热元件，设置在第一拱形结构上方，其中第一拱形结构设置在多个加热元件和基板支撑件之间；支撑构件，设置在第一多个加热元件上方，其中第一多个加热元件设置在第一拱形结构和支撑构件之间；和高能量辐射源组件，可移动地设置在形成在支撑构件上的轨道上，其中高能量辐射源组件包含高能量辐射源。

附图说明

为使本公开内容的上述特征的方式可被详细理解，可通过参照实施方式(一些实施方式示出于附图中)而获得前面所简要总结的本公开内容的更具体的说明。应理解附图仅描绘此公开内容的典型实施方式，并且不因此被认为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1是根据一个实施方式的工艺腔室的示意性截面侧视图。

图2是根据另一实施方式的工艺腔室的示意性截面侧视图。

图3是根据另一实施方式的工艺腔室的示意性截面侧视图。

图4是根据于此所述的实施方式的高能量辐射源组件的示意性透视图。

图5是根据一个实施方式的图4的高能量辐射源组件的示意性截面侧视图。

图6是根据一个实施方式的高能量辐射源组件的示意性透视图。

图7是根据一个实施方式的图6的高能量辐射源组件的放大示意性截面侧视图。