[发明专利]一种磁控反应溅射工艺气体布气装置及布气方法

权利要求书

1.一种磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，包括有腔室(1)，待溅射的基板(100)位于所述腔室(1)的顶部开口处，所述腔室(1)内气体导流罩(2)，所述气体导流罩(2)内设有阴极靶(3)，所述气体导流罩(2)的上方开口处设有上布气管(4)和下布气管(5)，所述上布气管(4)和所述下布气管(5)分别用于向所述腔室(1)内注入反应气体和溅射离子气体。

2.如权利要求1所述的磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，所述上布气管(4)包括有分设于阴极靶(3)周围的至少两个上布气管口。

3.如权利要求2所述的磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，所述下布气管(4)包括有分设于阴极靶(3)周围的至少两个下布气管口。

4.如权利要求1所述的磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，所述上布气管(4)和所述下布气管(5)注入的气体分别为氧气和氩气。

5.如权利要求1所述的磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，所述气体导流罩(2)为长方体箱体。

6.如权利要求5所述的磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，所述气体导流罩(2)是非导电材料制成的箱体。

7.如权利要求1所述的磁控反应溅射工艺气体布气装置，其特征在于，所述腔室(1)的底部设有抽气孔(7)。

8.一种磁控反应溅射工艺气体布气方法，其特征在于，所述布气方法基于一布气装置实现，所述布气装置包括有腔室(1)，待溅射的基板(100)位于所述腔室(1)的顶部开口处，所述腔室(1)内气体导流罩(2)，所述气体导流罩(2)内设有阴极靶(3)，所述气体导流罩(2)的上方开口处设有上布气管(4)和下布气管(5)；

所述布气方法包括：利用所述上布气管(4)和所述下布气管(5)分别向所述腔室(1)内注入反应气体和溅射离子气体，所述反应气体的流量小于溅射离子气体流量的20％。

9.如权利要求8所述的磁控反应溅射工艺气体布气方法，其特征在于，在非反应溅射工作模式下，只通过下布气管通入单一工作气体，工作气体均匀分布在阴极靶的靶面与基本溅射区域之间，真空泵通过抽气孔(7)进行抽吸时，气流按箭头方向流动并达到送入量与排出量的动态平衡。

10.如权利要求8所述的磁控反应溅射工艺气体布气方法，其特征在于，在反应溅射时，通过下布气管送入工作气体，同时通过上布气管送入反应气体，根据设定的工作压强和反应溅射功率，计算出需要的工作气体流量和反应气体流量。