[发明专利]发光装置

说明书

一种发光装置，包括电路基板、发光元件、第一延伸垫、第二延伸垫、粘着层、第一导电图案以及第二导电图案。电路基板的表面设置有第一电极及第二电极。发光元件位于电路基板上，且包括：第一型半导体层、第二型半导体层、发光层、第一接垫以及第二接垫，其中第二型半导体层位于第一型半导体层与电路基板之间。第一延伸垫电性连接第一接垫，且第二延伸垫电性连接第二接垫。粘着层位于发光元件与电路基板之间，且至少延伸于第二型半导体层的侧壁。第一导电图案电性连接第一延伸垫与第一电极，且第二导电图案电性连接第二延伸垫与第二电极。

技术领域

本发明涉及一种发光装置。

背景技术

微型发光元件(例如微型发光二极管，Micro-LED)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。由于Micro-LED的尺寸极小，目前制作Micro-LED显示装置的方法主要是采用巨量转移(Mass Transfer)技术，亦即利用微机电阵列技术进行微型发光元件取放，以将大量的Micro-LED一次搬运到电路基板上。

随着Micro-LED的尺寸持续缩减，Micro-LED的出光率因表面缺陷占比增加而快速下降，故需选用具高出光率的结构。考虑简化搭接结构以提升出光率，预期倒装芯片式(Flip chip)Micro-LED将能够提供较高出光率。然而，由于倒装芯片式Micro-LED仅通过P/N接垫与电路基板对接，其搭接良率及可靠度一直不够理想。再者，目前倒装芯片式Micro-LED需要使用热工艺与电路基板建立电性连接，而当焊料等连接材熔融时，Micro-LED由于其尺寸及重量极小，又常发生偏移的情况，导致可靠度更加难以提升。

此外，巨量转移技术常有发光元件错位的情况发生，目前的处理方式之一是采用余冗位(Redundancy)架构，即当确认Micro-LED异常时，将异常Micro-LED进行破坏，再补植新的Micro-LED至余冗位。然而，补植工艺需再次使用热工艺进行桥接，此又增加了Micro-LED偏移的可能性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光装置，具有提高的可靠度。

本发明的一个实施例提出一种发光装置，包括：电路基板，其表面设置有第一电极及第二电极；发光元件，位于电路基板上，且包括：第一型半导体层；第二型半导体层，重叠于第一型半导体层，且位于第一型半导体层与电路基板之间；发光层，位于第一型半导体层与第二型半导体层之间；第一接垫，连接第一型半导体层，且位于第一型半导体层与电路基板之间；以及第二接垫，连接第二型半导体层，且位于第二型半导体层与电路基板之间；第一延伸垫，电性连接第一接垫；第二延伸垫，电性连接第二接垫；粘着层，位于发光元件与电路基板之间，且至少延伸于第二型半导体层的侧壁；第一导电图案，电性连接第一延伸垫与第一电极；以及第二导电图案，电性连接第二延伸垫与第二电极。

在本发明的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫于电路基板的正投影部分重叠发光元件于电路基板的正投影。

在本发明的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫的延伸方向相反或相互垂直。

在本发明的一实施例中，上述的第一延伸垫或第二延伸垫至少一部分悬空。

在本发明的一实施例中，上述的第一延伸垫包括第一延伸部及第一连接部，第一延伸部连接第一接垫，第一连接部连接第一延伸部与第一导电图案，第二延伸垫包括第二延伸部及第二连接部，第二延伸部连接第二接垫，且第二连接部连接第二延伸部与第二导电图案，其中，第一延伸部与第一连接部的夹角≥90度，且第二延伸部与第二连接部的夹角≥90度。

在本发明的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫分别与第一接垫以及第二接垫属于相同膜层。

在本发明的一实施例中，上述的粘着层的杨氏模数介于2至3之间。

在本发明的一实施例中，上述的电路基板还包括开关元件阵列。