[发明专利]一种芯片过温保护电路以及相应的芯片、芯片电路

权利要求书

1.一种芯片过温保护电路，其特征在于，包括：过温检测单元、阈值切换单元和输出功率控制单元；

所述过温检测单元的第一端连接内部工作电压VDD，所述过温检测单元的第二端连接接地端GND，所述过温检测单元的第三端作为第一控制信号输出端用于将输出的第一控制信号VO发送至所述阈值切换单元的第一端；所述阈值切换单元的第二端连接内部工作电压VDD，所述阈值切换单元的第三端连接基准电压VREF，所述阈值切换单元的第四端连接接地端GND，所述阈值切换单元的第五端作为第二控制信号输出端将输出的第二控制信号VP发送至所述输出功率控制单元的第一端, 所述阈值切换单元的第六端B1连接所述过温检测单元的第四端B0；所述输出功率控制单元的第二端用于接收反馈信号输入端FB输入的反馈信号，所述输出功率控制单元的第三端连接内部工作电压VDD，所述输出功率控制单元的第四端连接接地端GND，所述输出功率控制单元的第五端连接功率信号输出端SW，所述输出功率控制单元的第六端连接VCC输入端；

所述过温检测单元用于检测芯片温度是否上升至过温保护点，当芯片温度未达到过温保护点时，所述过温检测单元的第一控制信号输出端输出的第一控制信号VO不能触发所述阈值切换单元进入阈值切换模式，所述阈值切换单元的第二控制信号输出端输出到所述输出功率控制单元的第一端的第二控制信号VP的电压值保持不变，使得所述输出功率控制单元输出至所述功率信号输出端SW的功率信号保持不变；当芯片温度达到过温保护点时，所述过温检测单元的第一控制信号输出端输出的第一控制信号VO触发所述阈值切换单元进入阈值切换模式，所述阈值切换单元的第二控制信号输出端输出到所述输出功率控制单元的第一端的第二控制信号VP的电压值减小，使得所述输出功率控制单元输出至所述功率信号输出端SW的功率信号减小。

2.根据权利要求1所述的芯片过温保护电路，其特征在于，当所述输出功率控制单元输出至所述功率信号输出端SW的功率信号减小对芯片进行降温后，使得芯片温度降低直至芯片温度达到安全点时，所述过温检测单元的第一控制信号输出端输出的第一控制信号VO不能触发所述阈值切换单元进入阈值切换模式，所述阈值切换单元的第二控制信号输出端输出到所述输出功率控制单元的第一端的第二控制信号VP的电压值增大，使得所述输出功率控制单元输出至所述功率信号输出端SW的功率信号增大。

3.根据权利要求1所述的芯片过温保护电路，其特征在于，所述过温检测单元包括第一电阻R0、第二电阻R1、第三电阻R2、第四电阻R3、第五电阻R4、第六电阻R5、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4；

所述第一电阻R0的一端连接所述过温检测单元的第一端，所述第一电阻R0的另一端分别连接所述过温检测单元的第四端B0和所述第二电阻R1的一端，所述第二电阻R1的另一端分别连接所述第三电阻R2的一端、所述第一三极管Q1的集电极和所述第四三极管Q4的基极，所述第三电阻R2的另一端连接所述过温检测单元的第二端，所述第一三极管Q1的发射极连接所述过温检测单元的第一端，所述第一三极管Q1的基极分别连接第二三极管Q2的基极、第二三极管Q2的集电极和所述第四电阻R3的一端，所述第二三极管Q2的发射极连接所述过温检测单元的第一端，所述第二三极管Q2的基极还与所述第五电阻R4的一端、所述第三三极管Q3的基极相连，所述第五电阻R4的另一端连接所述过温检测单元的第一端，所述第三三极管Q3的发射极连接所述过温检测单元的第一端，所述第三三极管Q3的集电极连接所述过温检测单元的第三端、所述第六电阻R5的一端，所述第六电阻R5的另一端连接所述过温检测单元的第二端；所述第四三极管Q4的集电极连接所述第四电阻R3的另一端，所述第四三极管Q4的发射极连接所述过温检测单元的第二端；

随着芯片温度升高，所述第四三极管Q4的开启电压降低；当芯片温度未达到过温保护点时，所述第四三极管Q4的基极电压VT小于所述第四三极管Q4的开启电压，所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2、所述第三三极管Q3组成的电流镜不导通，所述第一控制信号输出端输出的第一控制信号VO为低电平，不能触发所述阈值切换单元进入阈值切换模式；当芯片温度达到过温保护点时，所述第四三极管Q4的基极电压VT等于所述第四三极管Q4的开启电压，所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2、所述第三三极管Q3组成的电流镜导通，所述第一控制信号输出端输出的第一控制信号VO为高电平，触发所述阈值切换单元进入阈值切换模式。