[发明专利]一种大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法

权利要求书

1.一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法，包括以下步骤：准备原料、制备富锂多晶料、熔化、提拉生长，其特征在于，

提拉生长为将固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面，控制温度保持籽晶截面积保持不变，稳定后缓慢沿Z轴方向进行多次提拉；

其中，多次提拉的方式为：

第一次提拉：将籽晶进入液面4mm，稳定10min后开始提拉并缩颈，缩颈时提拉速度8mm/h，升温速度8℃/h，缩颈宽度为1mm，提拉高度为2mm；

第二次提拉：将籽晶进入液面2mm，稳定10min后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度4mm/h，升温速度4℃/h，缩颈宽度为2mm，提拉高度为4mm；

第三次提拉：将籽晶进入液面1mm，稳定10min后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度1mm/h，升温速度2℃/h，缩颈宽度为4mm，提拉高度为8mm。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，富锂多晶料是将碳酸锂和五氧化二铌混合后压块制备得到的。

3.根据权利要求2所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，碳酸锂和五氧化二铌的摩尔比为1:1-1.5。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，熔化：将籽晶沿Z轴方向固定，同时将富锂多晶料熔化在铂金坩埚中，保温10个小时。

5.根据权利要求4所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，铂金坩埚尺寸为直径60mm、高60mm。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，生长阶段，对铌酸锂单晶进行冷却至室温，冷却方式采用阶梯性降温。

7.根据权利要求6所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，阶梯性降温按照以下顺序进行操作：以8-10℃/h降温60-90min，20-25℃/h降温2-4h，40-60℃/h降温6-8h，最后80-100℃/h降温至室温。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的晶体生长方法得到的大尺寸铌酸锂单晶,其特征在于，大尺寸铌酸锂单晶化学式为LiNbO₃，铌酸锂单晶的直径为20-80mm。