[发明专利]28HV MV器件热载流子效应的优化方法在审
| 申请号： | 202210493169.X | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115020234A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 杨振兴;田志;梁启超 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 28 hv mv 器件 载流子 效应 优化 方法 | ||
1.一种28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1)在衬底上按现有工艺形成N阱、STI和PLDD；
S2)采用第一指定温度ISSG工艺生长第一指定厚度的氧化层；
S3)在氧化层上沉积第二指定厚度的多晶硅；
S4)采用第二指定温度HTO工艺生长第三指定厚度的栅极氧化层。
其中，第一指定厚度小于第三指定厚度，第一指定温度高于第二指定温度。
2.如权利要求1所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第一指定温度范围为1000度～1200度。
3.如权利要求2所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第一指定温度为1100度。
4.如权利要求1所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第一指定厚度范围为61埃～65埃。
5.如权利要求4所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第一指定厚度为63埃。
6.如权利要求1所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第二指定厚度范围为650埃～750埃。
7.如权利要求6所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第二指定厚度范围为700埃。
8.如权利要求1所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第二指定温度范围为750度～850度。
9.如权利要求8所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第二指定温度范围为800度。
10.如权利要求8所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第三指定厚度范围为120埃～140埃。
11.如权利要求10所述28HV MV器件热载流子效应的优化方法，其特征在于：第三指定厚度范围为130埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
