[发明专利]一种显示面板的制造方法及显示面板

权利要求书

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；

在所述薄膜晶体管上形成第一无机层；

在所述第一无机层上形成第一有机层；

通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一有机层和所述第一无机层，其中，所述刻蚀气体中不包括氧离子；

在所述第一有机层上形成第一金属层，所述第一金属层图案化至少形成第一电极，所述第一电极通过所述第一通孔电连接所述源极和所述漏极的其中之一。

2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述刻蚀气体包括氟离子。

3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法，其特征在于，通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔之后还包括：等离子处理所述第一有机层的远离所述基底的表面和所述第一通孔，所述等离子处理的等离子体中包括氢离子。

4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括位于所述在所述薄膜晶体管的阵列结构上形成第一无机层和所述在所述第一无机层上形成第一有机层之间的：在所述第一无机层上形成色阻层；

其中，所述在所述第一无机层上形成第一有机层时，所述第一有机层形成于所述色阻层上；

其中，所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述第一通孔还贯穿所述色阻层。

5.如权利要求4所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述第一无机层上形成色阻层时包括：形成贯穿所述色阻层的第一开孔，所述第一开孔的直径大于所述第一通孔的直径；

其中，所述第一有机层形成于所述色阻层上时，所述第一有机层还填充于所述第一开孔内；

其中，所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述第一通孔还贯穿所述第一有机层位于所述第一开孔内的部分。

6.如权利要求5所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时还包括：形成所述膜晶体管的栅极和与所述栅极同层设置的第三电极，以及位于所述栅极上的栅极绝缘层；

所述在所述第一无机层上形成色阻层时包括：形成贯穿所述色阻层的第二开孔；

其中，所述第一有机层形成于所述色阻层上时，所述第一有机层还填充于所述第二开孔内；

所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时还包括：形成第二通孔，所述第二通孔的直径小于所述第二开孔的直径，所述第二通孔贯穿所述栅极绝缘层、所述第一有机层和所述第一有机层位于所述第二开孔内的部分；

所述在所述第一有机层上形成第一金属层，所述第一金属层图案化至少形成第一电极时还包括：形成第二电极，所述第二电极通过所述第二通孔电连接所述第三电极。

7.如权利要求6中所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时包括：

在所述基底上形成所述栅极；

在所述栅极上形成所述栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成源漏金属层，所述源漏金属层包括所述源极和所述漏极。

8.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一无机层的材料包括氮化硅、氧化硅中至少一种；

所述第一有机层的材料包括光阻。

9.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：

提供一对侧基板；

在所述第一电极远离所述基底的一侧表面上或所述对侧基板的表面上滴下液晶，并将形成有所述第一电极的所述基底与所述对侧基板对位组立，所述液晶设置于所述基底和所述对侧基板之间。

10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的显示面板的制造方法制造而成。