[发明专利]一种基于自适应梯度投影的电阻率成像错位校正方法有效
| 申请号: | 202210464197.9 | 申请日: | 2022-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN114782276B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
| 发明(设计)人: | 李廷军;田雨桐;杨海宁;赵泽轩;杨旭 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G06T5/00 | 分类号: | G06T5/00 |
| 代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 自适应 梯度 投影 电阻率 成像 错位 校正 方法 | ||
1.一种电阻率阵列成像测井的自适应梯度投影校正方法,包括如下步骤:
步骤一、数据预处理,对各电极图像按照电极的奇偶序号对齐,得到预校正后数据X=[x1,x2,...,xn],其中,xi为对数据X列分块后得到的尺寸为m×1的列向量,其中,i=1,…,n;
步骤二、投影变换矩阵计算,将步骤一得到的数据X和估计的正则化因子代入到变换矩阵公式中进行计算,得到符合约束条件的投影变换矩阵P*,
约束条件一:
其中,P为变换矩阵,(·)T为矩阵转置运算符,Y为变换矩阵P对应子空间下的校正图像,为水平向二阶梯度矩阵,其中,第一列和最后一列为零向量,||·||F为Frobenius范数,R为差分矩阵,表达式如下:
约束条件二:
约束条件三:
构造目标函数l:
其中,λ为梯度域目标函数的正则化因子,σ为最小二乘项的正则化因子,Tr(·)为矩阵求迹运算;
得到的变换矩阵公式:
其中,为单位矩阵;
步骤三、成像校正,根据步骤一得到的预校正后数据X和步骤二得到的投影变换矩阵P*,得到对应子空间下的校正图像Y:
Y=(P*)TX
步骤四、参数寻优,对步骤三所产生的校正图像Y进行判别,如未达到寻优边界范围,利用网格搜索方法,按照设定的步长更新正则化因子,并回到步骤二,直至达到边界。
2.根据权利要求1所述的一种电阻率阵列成像测井的自适应梯度投影校正方法,其特征在于,步骤四所述的判别具体过程如下:
通过寻找边缘校正误差绝对值ECE与平均梯度差分指标AGD绝对值之和的最小值及其对应的正则化因子,确定对应错位图像的最优参数,表达式如下:
arg minλ,σ|AGD|+|ECE|.
其中,边缘校正误差如下:
其中,cij为判别系数,表达式如下:
其中,xi,j、xi,j+1分别为数据X某一元素及其右侧元素,max、min分别为数据X内的最大、最小元素;
平均梯度差分指标如下:
其中,为水平向偏导数,为垂直向偏导数。
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