[发明专利]于记忆装置中进行刷新管理的方法、记忆装置和其控制器

说明书

本发明公开了一种用来于一记忆装置中进行刷新管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，其中所述记忆装置包括一非挥发性存储器，且所述非挥发性存储器包括多个非挥发性存储器组件。所述方法可包括：监控所述记忆装置的温度，其中所述温度是通过一温度传感器来侦测；依据所述温度来更新一记录最高温与一记录最低温；检查所述记录最高温与所述记录最低温之间的差值是否大于一预定温度阈值；以及当所述差值大于所述预定温度阈值时，触发所述记忆装置的刷新。本发明的好处之一在于，通过刷新管理，本发明能针对所述控制器的运作进行妥善的控制，以避免温度剧烈变化的状况下的数据错误。

本申请是申请日为2018年01月02日、申请号为201810003093.1、发明创造名称为“于记忆装置中进行刷新管理的方法、记忆装置和其控制器”的中国发明申请的分案申请。

技术领域

本发明是涉及闪存(Flash memory)的存取(access)，尤其涉及一种用来于一记忆装置中进行刷新(refresh)管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的访问控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，在温度剧烈变化的状况下，数据错误的机率会显着地增加。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行刷新(refresh)管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行刷新管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。

本发明的至少一实施例公开一种用来于一记忆装置中进行刷新管理的方法，其中所述记忆装置包括一非挥发性存储器(non-volatile memory,NV memory)，且所述非挥发性存储器包括多个非挥发性存储器组件(NV memory element)。所述方法可包括：监控(monitor)所述记忆装置的温度，其中所述温度是通过一温度传感器(sensor)来侦测；依据所述温度来更新一记录最高温(recorded maximum temperature)与一记录最低温(recorded minimum temperature)；检查所述记录最高温与所述记录最低温之间的差值是否大于一预定温度阈值；以及当所述差值大于所述预定温度阈值时，触发(trigger)所述记忆装置的刷新(refresh)。