[发明专利]于记忆装置中进行刷新管理的方法、记忆装置和其控制器在审

专利信息
申请号: 202210462803.3 申请日: 2018-01-02
公开(公告)号: CN115019863A 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 简介信;包镒华 申请(专利权)人: 慧荣科技股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C7/04
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 记忆 装置 进行 刷新 管理 方法 控制器
【权利要求书】:

1.一种用来于一记忆装置中进行刷新管理的方法,所述记忆装置包括一非挥发性存储器,所述非挥发性存储器包括多个多个闪存芯片(Flash memory chip)或多个闪存裸晶(Flash memory die),所述方法的特征在于,包括有:

监控所述记忆装置的温度,其中所述温度是通过一温度传感器来侦测;

依据所述温度来更新一记录最高温与一记录最低温;

检查所述记录最高温与所述记录最低温之间的差值是否大于一预定温度阈值;以及

当所述差值大于所述预定温度阈值时,触发所述记忆装置的刷新,以避免所述非挥发性存储器内部因为温度变化所造成的数据错误。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述记忆装置的刷新包括所述记忆装置的整个存储空间的刷新。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述触发运作代表进入一刷新程序。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括:

于所述刷新程序中,检查所述温度是否在一目标范围中,其中所述目标范围是一预定温度范围,且所述记忆装置的刷新是在所述温度在所述目标范围中时开始进行。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

检查所述温度是否在一目标范围中,其中所述目标范围是一预定温度范围;以及

当所述温度在所述目标范围中时,进行所述记忆装置的刷新。

6.一种记忆装置,其特征在于,包括有:

一非挥发性存储器,用来存储信息,其中所述非挥发性存储器包括多个闪存芯片(Flash memory chip)或多个闪存裸晶(Flash memory die);以及

一控制器,耦接至所述非挥发性存储器,用来控制所述记忆装置的运作,其中所述控制器包括:

一处理电路,用来依据来自一主装置的多个主装置指令控制所述控制器,以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器,其中:

所述控制器监控所述记忆装置的温度,其中所述温度是通过一温度传感器来侦测;

所述控制器依据所述温度来更新一记录最高温与一记录最低温;

所述控制器检查所述记录最高温与所述记录最低温之间的差值是否大于一预定温度阈值;以及

当所述差值大于所述预定温度阈值时,所述控制器触发所述记忆装置的刷新,以避免所述非挥发性存储器内部因为温度变化所造成的数据错误。

7.如权利要求6所述的记忆装置,其特征在于,所述记忆装置的刷新包括所述记忆装置的整个存储空间的刷新。

8.如权利要求6所述的记忆装置,其特征在于,所述触发运作代表进入一刷新程序。

9.一种记忆装置的控制器,所述记忆装置包括所述控制器与一非挥发性存储器,所述非挥发性存储器包括多个闪存芯片(Flash memory chip)或多个闪存裸晶(Flash memorydie),所述控制器的特征在于,包括有:

一处理电路,用来依据来自一主装置的多个主装置指令控制所述控制器,以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器,其中:

所述控制器监控所述记忆装置的温度,其中所述温度是通过一温度传感器来侦测;

所述控制器依据所述温度来更新一记录最高温与一记录最低温;所述控制器检查所述记录最高温与所述记录最低温之间的差值是否大于一预定温度阈值;以及

当所述差值大于所述预定温度阈值时,所述控制器触发所述记忆装置的刷新,以避免所述非挥发性存储器内部因为温度变化所造成的数据错误。

10.如权利要求9所述的控制器,其特征在于,所述记忆装置的刷新包括所述记忆装置的整个存储空间的刷新。

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