[发明专利]一种石墨烯-铜网格复合透明导电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：通过热辊轧使静电膜石墨烯和使用硅基金网格模板制备的嵌入式铜网格透明电极结合在一起；

步骤2：烘箱烘烤结合的静电膜石墨烯和嵌入式铜网格透明电极后移除静电膜；以及

步骤3：用PET膜片覆盖石墨烯膜获得石墨烯-铜网格复合透明导电器件。

2.如权利要求1所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，嵌入式铜网格透明电极的制备包括以下步骤：

步骤1a：制作硅基金网格模板；

步骤1b：在硅基金网格模板上通过表面修饰和电镀沉积铜镀层，形成铜网格；

步骤1c：在铜网格上涂覆固化剂并覆上PET膜片，进行固化使PET膜片与固化剂层相粘；以及

步骤1d：将固化后的PET膜片、固化剂和嵌入于固化剂中的铜网格从硅基金网格模板剥离，得到嵌入式铜网格透明电极。

3.如权利要求1所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，静电膜石墨烯的制备包括以下步骤：

步骤1e：在铜衬底上通过化学气相沉积生长石墨烯膜；以及

步骤1f：用静电膜覆盖石墨烯膜，用氯化铜、盐酸和双氧水混合刻蚀液刻蚀铜衬底获得静电膜石墨烯。

4.如权利要求2所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，所述硅基金网格模板包括硅基和金网格图案，金网格图案设置在硅基的一侧。

5.如权利要求2所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，所述表面修饰用于在硅基金网格模板表面形成修饰层，使铜网格电极能够完整的从硅基金网格模版上揭下。

6.如权利要求2所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，铜网格的电镀沉积参数为：电流密度为0.5mA/cm²～5mA/cm²，电镀时长范围为5min～180min。

7.如权利要求2所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，固化剂为紫外光固化剂，使用紫外线灯照射将涂覆在铜网格上的固化剂固化。

8.如权利要求1所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件的制备方法，其特征在于，热辊轧的温度范围为60℃～150℃。

9.一种石墨烯-铜网格复合透明导电器件，其特征在于，石墨烯-铜网格复合透明导电器件包括第一PET膜片、第二PET膜片、设置在第二PET膜片下方的石墨烯膜、设置在石墨烯膜与第一PET膜片之间的固化剂层和嵌入式铜网格透明电极，所述嵌入式铜网格透明电极嵌入固化剂层中且与石墨烯膜接触。

10.如权利要求9所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件，其特征在于，所述石墨烯膜与嵌有铜网格透明电极的固化剂层通过热辊轧结合。

11.如权利要求10所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件，其特征在于，热辊轧的温度范围为60℃～150℃。

12.如权利要求9所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件，其特征在于，嵌于固化剂层中的所述嵌入式铜网格电极使用硅基金网格模板经表面修饰和电镀制备而成。

13.如权利要求12所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件，其特征在于，所述硅基金网格模版包括硅基和金网格图案，金网格图案设置在硅基的一侧。

14.如权利要求12所述的石墨烯-铜网格复合透明导电器件，其特征在于，所述表面修饰用于在硅基金网格模板表面形成修饰层，使铜网格电极能够完整的从硅基金网格模版上揭下。