[发明专利]太阳能电池及其生产方法、生产系统,光伏组件在审
| 申请号: | 202210448598.5 | 申请日: | 2022-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN114937705A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
| 发明(设计)人: | 杨苗;曲铭浩;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
| 地址: | 710000 陕西省西安市国家民用*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 生产 方法 系统 组件 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
硅基底;
所述硅基底的向光面的局部区域有至少一个第一掺杂区域;各个所述第一掺杂区域的掺杂类型和所述硅基底的掺杂类型均相同,且各个所述第一掺杂区域的掺杂浓度均大于所述硅基底的掺杂浓度;
依次层叠分布在所述硅基底、以及所述第一掺杂区域的向光侧上的化学钝化膜、场钝化减反射膜;
位于所述硅基底的向光侧的至少一个正面栅线电极;至少一个所述正面栅线电极和至少一个所述第一掺杂区域相互接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述第一掺杂区域的深度为0.1-0.5um;所述第一掺杂区域的深度所在的方向,与所述化学钝化膜和所述场钝化减反射膜的层叠方向平行。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述化学钝化膜包括:氧化硅膜或氧化铝膜;和/或,所述场钝化减反射膜包括氮化硅薄膜。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括:位于所述场钝化减反射膜向光侧的减反射膜。
5.根据权利要求1-4中任一所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括:依次层叠分布在所述硅基底的背光侧的本征非晶硅膜、与所述硅基底掺杂类型不同的掺杂非晶硅膜、透明导电氧化物薄膜、以及背面电极;
所述背面电极为覆盖在所述透明导电氧化物薄膜上的整面电极层,所述透明导电氧化物薄膜的厚度为5-80nm;所述透明导电氧化物薄膜的厚度所在的方向,与所述化学钝化膜和所述场钝化减反射膜的层叠方向平行。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述整面电极层的厚度为1-10um。
7.根据权利要求1-4中任一所述的太阳能电池,其特征在于,所述正面栅线电极为镍铜银叠层栅线电极。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述镍铜银叠层栅线电极中:镍元素、铜元素、银元素三者的质量比例为:(0.5-2.5):(5-9):(0.5-2.5)。
9.根据权利要求1-4中任一所述的太阳能电池,其特征在于,
每个所述正面栅线电极和每个所述第一掺杂区域位置一一对应,且相互接触。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述正面栅线电极在位置对应的所述第一掺杂区域上的投影,在第一方向上的尺寸,等于位置对应的所述第一掺杂区域在所述第一方向上的尺寸,每个所述正面栅线电极在位置对应的所述第一掺杂区域上的投影,在第二方向上的尺寸,比位置对应的所述第一掺杂区域在所述第二方向上的尺寸小15-50um;所述第一方向和所述第二方向均与所述硅基底的向光面平行,且所述第一方向和所述第二方向垂直;
和/或,每个所述正面栅线电极的高度为5-20um;所述高度所在的方向,与所述化学钝化膜和所述场钝化减反射膜的层叠方向平行;
和/或,每个所述正面栅线电极在所述第二方向上的尺寸为15-50um。
11.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,在所述化学钝化膜为氧化硅膜的情况下,所述化学钝化膜的厚度为0.5-5nm;
在所述化学钝化膜为氧化铝膜的情况下,所述化学钝化膜的厚度为2-10nm;所述厚度所在的方向,与所述化学钝化膜和所述场钝化减反射膜的层叠方向平行。
12.一种光伏组件,其特征在于,包括:包括若干个如权利要求1-11中任一所述的太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安隆基乐叶光伏科技有限公司,未经西安隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210448598.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种四氯代邻苯二甲酸酐的制备方法
- 下一篇:一种肿瘤生物标志物及应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





