[发明专利]一种UV光致可剥离胶及其制备方法

说明书

本发明涉及胶粘剂技术领域，尤其涉及一种UV光致可剥离胶及其制备方法，该UV光致可剥离胶由丙烯酸酯共聚物基胶、聚氨酯丙烯酸酯预聚物、丙烯酸酯单体和溶剂制备得到，其中，所述丙烯酸酯共聚物基胶由过氧化苯甲酰、丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、4‑丙烯酰氧基二苯甲酮和甲基丙烯酸缩水甘油酯改性季铵盐制备得到；所述聚氨酯丙烯酸酯预聚物由大豆油基多元醇、多异氰酸酯、二月桂酸二丁烯、对叔丁邻苯二酚和季戊四醇三丙烯酸酯制备得到。本发明提供的UV光致可剥离胶中无任何游离单体，在UV光固化前具有较高的粘合力，UV照射后残胶量低，并且具有高减粘性和强抗静电性，能够满足薄硅晶片的切割要求。

技术领域

本发明涉及胶粘剂技术领域，尤其涉及一种UV光致可剥离胶及其制备方法。

背景技术

UV光致可剥离胶是一种常态提供高粘合力，UV照射后粘着力瞬间大幅度降低的一类胶粘剂，在硅晶片切割制备芯片时起到固定硅晶片的作用。在UV光固化前，UV光致可剥离胶能够提供足够高的粘合力，固定硅晶片，防止切割过程中硅晶片发生崩裂，切割完成后，在UV照射下，UV光致可剥离胶粘合力瞬间大幅度降低，硅晶片能够轻松剥离。近年来，随着半导体技术的飞速发展，硅晶片的厚度越来越薄，厚度低于100μm的硅晶片在切割和拾取过程中极易损坏，因此对UV光致可剥离胶的性能提出了更高要求。硅晶片在捡取过程中会产生静电吸附灰尘，灰尘会污染芯片，降低良率，目前常用的UV光致可剥离胶中的抗静电剂和光引发剂为小分子量物质，在体系中处于游离状态，非常容易脱落，影响抗静电性能，并且还会产生残胶，污染芯片。并且，目前现有的UV光致可剥离胶在光固化前后剥离强度均无法满足薄硅晶片的切割要求。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种UV光致可剥离胶及其制备方法，本发明提供的UV光致可剥离胶在UV光固化前粘合力高，UV照射后减粘性高、抗静电强，能够满足薄硅晶片的切割要求，克服了现有技术的缺陷。

为达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：

本发明第一方面提供了一种UV光致可剥离胶，由包括如下重量份数的原料制成：丙烯酸酯共聚物基胶39～53份，聚氨酯丙烯酸酯预聚物30～55份，丙烯酸酯单体5～25份和溶剂1～10份；

其中，所述丙烯酸酯共聚物基胶由过氧化苯甲酰、丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、4-丙烯酰氧基二苯甲酮和甲基丙烯酸缩水甘油酯改性季铵盐制备得到；

所述聚氨酯丙烯酸酯预聚物由大豆油基多元醇、多异氰酸酯、二月桂酸二丁烯、对叔丁邻苯二酚和季戊四醇三丙烯酸酯制备得到。

本发明实施例所示的方案，丙烯酸酯共聚物基胶中既含有光引发剂4-丙烯酰氧基二苯甲酮又含有抗静电剂甲基丙烯酸缩水甘油酯改性季铵盐，由于光引发剂和抗静电剂分子中均含有丙烯酸酯基，因此光引发剂和抗静电剂分子能够聚合到丙烯酸酯共聚物基胶中，保证体系中无任何游离单体，通过使用本发明提供的丙烯酸酯共聚物基胶制备UV光致可剥离胶，既能够大大降低UV固化后的残胶量，又能够提高UV光致可剥离胶的抗静电能力；本发明提供的末端同时含有-NCO和丙烯酸酯基的聚氨酯丙烯酸酯预聚物由大豆油基多元醇、多异氰酸酯和季戊四醇三丙烯酸酯酯单体制备得到，-NCO可以在光固化前和丙烯酸酯共聚物基胶当中的羟基热固化，形成一个交联网络，通过调控交联网络交联度，可以使UV光致可剥离胶在光固化前具有较高的粘合力，在光固化时，含有丙烯酸酯基的各成分通过丙烯酸酯基交联形成网络，因为聚氨酯丙烯酸酯预聚物中的丙烯酸酯基和-NCO同时参与交联，所以两个网络在光固化后生成全交联网络的胶层，进而可以提高UV光致可剥离胶的内聚强度，降低剥离强度。通过限定丙烯酸酯共聚物基胶与聚氨酯丙烯酸酯预聚物的用量，能够调控基胶中羟基和聚氨酯预聚物中-NCO比例。本发明提供的UV光致可剥离胶中无任何游离单体，在UV光固化前具有较高的粘合力，UV照射后残胶量低，并且具有高减粘性和强抗静电性，能够满足薄硅晶片的切割要求，克服了现有技术的缺陷。