[发明专利]电致发光显示设备

权利要求书

1.一种电致发光显示设备，包括：

基板，所述基板包括显示区和设置在所述显示区外围的非显示区；

设置在所述非显示区上的栅极驱动器；以及

设置在所述显示区上的多个像素，所述像素被配置为接收驱动信号，

所述多个像素中的每一个像素包括：

电致发光二极管；

驱动晶体管，所述驱动晶体管连接至所述电致发光二极管，并且被配置为将电流提供至所述电致发光二极管；和

设置在所述多个像素中的所述每一个像素中的至少一个开关晶体管，

其中，通过对半导体层进行图案化而形成所述驱动晶体管的沟道区和所述至少一个开关晶体管的沟道区，并且所述驱动晶体管的沟道区尺寸不同于所述至少一个开关晶体管的沟道区尺寸，和

其中，所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10°。

2.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素接收扫描信号和发光信号。

3.如权利要求2所述的电致发光显示设备，其中，所述至少一个开关晶体管被配置为接收扫描信号或发光信号。

4.如权利要求3所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和接收所述扫描信号的所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10°。

5.如权利要求3所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和接收所述发光信号的所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10°。

6.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，在用于对所述驱动晶体管和所述至少一个开关晶体管的沟道区进行图案化的干法蚀刻工艺期间，根据O₂气流比率来调整所述驱动晶体管的倾斜角度和所述至少一个开关晶体管的倾斜角度之间的偏差。

7.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的倾斜角度和所述至少一个开关晶体管的倾斜角度之间的偏差小于或等于5°。

8.如权利要求7所述的电致发光显示设备，其中，使用等于或大于40％的O₂气流比率来干法蚀刻所述驱动晶体管和所述至少一个开关晶体管的沟道区。

9.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的倾斜角度和所述至少一个开关晶体管的倾斜角度之间的偏差小于或等于1°。

10.如权利要求9所述的电致发光显示设备，其中，使用大于或等于50％的O₂气流比率来干法蚀刻所述驱动晶体管和所述至少一个开关晶体管的沟道区。

11.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度分别小于或等于20°。

12.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的沟道区尺寸大于所述至少一个开关晶体管的沟道区尺寸。

13.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管和所述至少一个开关晶体管的沟道区包括低温多晶硅层。

14.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述栅极驱动器被形成为面内栅极驱动器(GIP)。