[发明专利]一种阶梯型FLR超级结功率器件终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，其特征在于，包括衬底层以及位于所述衬底层上的第一导电类型外延层，所述外延层内形成有有源区(1)和位于所述有源区(1)外围的终端区(2)，其中，

所述外延层的终端区(2)包括多层外延结构，每层外延结构中均设有一个FLR区(3)，且每层外延结构中的FLR区(3)长度自下而上依次增加，以形成自左下方至右上方的阶梯型FLR终端；

其中，所述阶梯型FLR终端最顶层的FLR区(3)上方还形成有表面终端区(4)。

2.根据权利要求1所述的阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，其特征在于，所述阶梯型FLR终端最底层FLR区的右边界与最顶层FLR区的右边界连线与水平方向的夹角范围为10°到80°。

3.根据权利要求1所述的阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，其特征在于，所述FLR区(3)是通过Al离子注入形成的，注入浓度为5×10¹⁷～5×10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1所述的阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型。

5.根据权利要求1所述的阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，其特征在于，所述有源区内形成有超级结结构。

6.根据权利要求5所述的阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，其特征在于，所述超级结结构为浮结或者P柱超级结。

7.一种阶梯型FLR超级结功率器件终端结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：提供一N++衬底；

步骤2：在所述N++衬底上生长一层N-外延结构；

步骤3：对所述N-外延结构的有源区表面进行离子注入，形成超级结有源区；

步骤4：对所述N-外延结构的终端区表面进行离子注入，形成FLR区；

步骤5：重复步骤2-4，形成具有多层外延结构的外延层；其中，每层外延结构中的FLR区长度自下而上依次增加，以形成自左下方至右上方的阶梯型FLR终端；

步骤6：在步骤5得到的样品表面再次生长一层N-外延结构，并进行离子注入，以形成表面终端区。

8.一种半导体功率器件，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阶梯型FLR超级结功率器件终端结构。