[发明专利]一种图案化石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供表面上设置有聚合物薄膜的基片；

将所述表面上设置有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在聚合物薄膜表面上覆盖具有预设图案的掩模板，进行电子照射后，得到所述图案化石墨烯。

2.根据权利要求1所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，所述提供表面上设置有聚合物薄膜的基片的步骤具体包括：

提供基片；

将聚合物加入到溶剂中，得到聚合物溶液；

将所述聚合物溶液转移到所述基片上，进行干燥后，得到表面上设置有聚合物薄膜的基片。

3.根据权利要求1所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，所述聚合物选自碳链聚合物、芳香族聚合物、聚酰亚胺中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，

所述碳链聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯中的至少一种；

和/或，所述芳香族聚合物选自聚碳酸酯、聚碳酸乙烯酯中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，所述具有预设图案的掩模板的材料选自金属材料，所述金属材料选自金属单质材料或金属合金材料；

和/或，所述具有预设图案的掩模板的厚度为18μm～1mm。

6.根据权利要求1所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，所述将所述表面上设置有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在聚合物薄膜表面上覆盖具有预设图案的掩模板，进行电子照射的步骤具体包括:

将所述表面上设置有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在聚合物薄膜表面上覆盖具有预设图案的掩模板，抽真空至预设值；

通入氩气，在磁场和微波的共同作用下，将所述氩气离化成氩等离子体；

设置基片偏压为正偏压吸引所述氩等离子体中的电子对所述基片表面上的聚合物薄膜及所述聚合物薄膜上的具有预设图案的掩模板进行电子照射后，移除具有预设图案的掩模板，得到所述图案化石墨烯。

7.根据权利要求6所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，

所述抽真空至预设值的步骤中，所述预设值低于1×10^-4Pa；

和/或，通入氩气后，所述真空腔室中的压力值为2×10^-2～1×10^-1Pa。

8.根据权利要求6所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，所述基片偏压为20～150V。

9.根据权利要求6所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，

所述设置基片偏压为正偏压的同时还包括设置基片电流的步骤，所述基片电流为0.5～2.0A。

10.根据权利要求1所述的图案化石墨烯的制备方法，其特征在于，所述电子照射的时间为1～30min。