[发明专利]光检测装置在审

专利信息
申请号: 202210420802.2 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN114975495A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 押山到;田中洋志 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/369
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李晗;姚鹏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种光检测装置,包括:

多个像素单元;

衬底,其包括多个光电转换单元;

第一层,其包括多个凹入部,其中,所述第一层在剖视图中设置在所述光电转换单元的上方,其中,所述第一层包含所述衬底的第一材料以及第二材料;

第二层,其在所述剖视图中设置在所述第一层的上方,其中,所述第二层包含所述第二材料;和

第三层,其在所述剖视图中设置在所述第二层的上方,其中,所述第三层包含第三材料,

其中,所述第一材料的折射率高于所述第二材料的折射率,

其中,所述第二材料的折射率高于所述第三材料的折射率。

2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述第一层和所述第二层的总厚度在所述剖视图中小于100nm。

3.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,针对每一所述凹入部,上部宽度在所述剖视图中大于底部宽度。

4.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,每一所述像素单元包括至少一个光电转换单元以及所述至少一个光电转换单元的至少第一凹入部和第二凹入部。

5.根据权利要求4所述的光检测装置,其中,所述第二凹入部在所述凹入部的宽度方向上邻近所述第一凹入部,且

其中,所述第一层和所述第二层之间的界面包括设置在所述第一凹入部和所述第二凹入部之间的平坦部。

6.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述第一材料是硅,其中,所述第二材料是氧化铪,其中,所述第三材料是氧化硅。

7.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述第二材料是固定电荷膜。

8.根据权利要求7所述的光检测装置,其中,所述第二材料填充所述多个凹入部。

9.根据权利要求1所述的光检测装置,其还包括:薄膜,其在所述剖视图中设置在所述第一层和所述第二层之间。

10.根据权利要求9所述的光检测装置,其中,所述薄膜的厚度在所述剖视图中小于5nm。

11.根据权利要求1所述的光检测装置,其还包括:第一沟槽和第二沟槽,其在所述剖视图中设置在所述衬底中。

12.根据权利要求11所述的光检测装置,其中,所述第二材料和所述第三材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。

13.根据权利要求11所述的光检测装置器,其中,所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述剖视图中比所述多个凹入部深。

14.根据权利要求1所述的光检测装置,其还包括:滤色器,其在所述剖视图中设置在所述第三层的上方。

15.根据权利要求14所述的光检测装置,其还包括:片上透镜,其在所述剖视图中设置在所述滤色器的上方。

16.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述第一层和所述第二层被构造为调整反射率。

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