[发明专利]计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置

说明书

本发明涉及一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置，其中该使用优化读取电压表以读取数据的方法由闪存控制器的微控制器单元执行，包含：依据NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压，其中，所述优化读取电压表包含多笔记录，每笔所述记录包含一组读取电压参数，和所述一组读取电压参数关联到的环境参数；以及以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。通过优化读取电压表的使用，可降低启动读取重试机制的次数。

技术领域

本发明涉及存储装置，特别涉及一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置。

背景技术

闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置，中央处理器(Host)可于地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址，并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地，NAND闪存并非随机存取，而是串行存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样，可以存取任何随机地址，中央处理器反而需要写入串行的组字节(Bytes)的值到NAND闪存中，用于定义请求命令(Command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。提升数据的读取正确率，一直是影响闪存控制器的系统整体效能的重要课题。因此.本发明提出一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置，用于提升数据的读取正确率。

发明内容

有鉴于此，如何减轻或消除上述相关领域的缺陷，实为有待解决的问题。

本发明涉及一种使用优化读取电压表以读取数据的方法，由闪存控制器的微控制器单元执行，包含：依据NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压，其中，所述优化读取电压表包含多笔记录，每笔所述记录包含一组读取电压参数，和所述一组读取电压参数关联到的环境参数；以及以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。

本发明还涉及一种计算机可读取存储介质，用于存储能够被闪存控制器的微控制器单元加载并执行的程序代码，并且所述程序代码被所述微控制器单元执行时实现如上所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法。

本发明还涉及一种用优化读取电压表以读取数据的装置，包含：闪存接口，耦接NAND闪存模块；以及微控制器单元，耦接所述闪存接口。微控制器单元用于依据所述NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压，其中，所述优化读取电压表包含多笔记录，每笔所述记录包含一组读取电压参数，和所述组读取电压参数关联到的环境参数；以及驱动所述闪存接口以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。

上述实施例的优点之一，通过优化读取电压表的使用，可降低启动读取重试机制的次数。

本发明的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为依据本发明实施例的网络环境的示意图。

图2为依据本发明实施例的运算设备的框图。

图3为依据本发明实施例的NAND闪存模块的示意图。

图4为依据本发明实施例的云端存储系统的框图。

图5为依据一些实施方式的数据读取方法的流程图。

图6为依据本发明实施例的数据读取方法的流程图。

图7为依据本发明实施例的读取效能数据的搜集与回报的顺序图。