[发明专利]一种晶圆检测用吹气装置及方法在审
申请号: | 202210412151.2 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN115050684A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 陆姜鹏;肖治祥;朱涛 | 申请(专利权)人: | 苏州精濑光电有限公司;武汉精测电子集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 赵新民 |
地址: | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 吹气 装置 方法 | ||
本发明公开了提供一种晶圆检测用吹气装置及方法,通过在晶圆检测平台设置载台吸附环和石英玻璃,且石英玻璃的上表面低于载台吸附环的上表面,在载台吸附环内设置内置气道并在内边缘开设气槽,从而使原来形成鼓包的位置形成腔体,利用内置气道和气槽将腔体内的气体排出;同时,还可以在晶圆检测平台一侧设置吹气机构,通过喷嘴喷出的气流将晶圆鼓包处的气体排出,使后续成像清晰。
技术领域
本发明涉及半导体晶圆检测领域,尤其是一种晶圆检测用吹气装置及方法。
背景技术
晶圆在制作过程中可能会存在一些缺陷,为了能够及时对晶圆中的制作工艺进行调整,需要对晶圆进行缺陷检测,然而,现有市场针对晶圆检测方面的设备还有所欠缺。现有技术中在半导体晶圆检测设备上,晶圆通过机械手从晶圆装卸机取出,放置于晶圆检测平台上,然后转运到自动光学检测(Automated Optical Inspection,AOI)检测工站下,进行AOI检测,在这个过程中,存在一个问题,即晶圆在被放置于晶圆检测平台上时,由于晶圆检测平台上表面(即承载晶圆的主要部分)主要是用透明玻璃制作,以便将内嵌于内部的光源打光在晶圆颗粒上,但是玻璃平整不透风,晶圆放置于其上时,四周被真空吸附于晶圆检测平台上表面,晶圆与玻璃之间的空气无法快速排出,进而形成鼓包,鼓包较为明显,直接导致在后段AOI检测时,影像界面存在取像不清晰或位置有变动等情况,直接导致AOI检测不稳定。
目前,针对这种鼓包现象,采用的方案为等待其自然排出,即待测晶圆放在晶圆检测平台上,等待一段时间,约1分钟,空气会自然排放到影像能取到清晰图像的状态,显然这种方案会影响工作效率。
因此,如何在保留晶圆检测旋转平台各项功能的前提下,如何有效地解决晶圆鼓包问题,成为了当下本领域内研究的热点问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的不足,本发明的目的在于:提供一种晶圆检测用吹气装置及方法,通过在晶圆检测平台设置载台吸附环和石英玻璃,且石英玻璃的上表面低于载台吸附环的上表面,在载台吸附环内设置内置气道并在内边缘开设气槽,从而使原来形成鼓包的位置形成腔体,利用内置气道和气槽将腔体内的气体排出;同时,还可以在晶圆检测平台一侧设置吹气机构,通过喷嘴喷出的气流将晶圆鼓包处的气体排出,使后续成像清晰。
为实现上述目的,本发明提供以下技术方案:一种晶圆检测用吹气装置,包括晶圆检测平台,所述晶圆检测平台包括载台主体和设置于其上的放置槽,所述放置槽的外周还设置有载台吸附环,所述载台吸附环设置有若干个环形内置气道;所述放置槽由石英玻璃构成,所述石英玻璃的上表面低于所述载台吸附环的上表面,且所述载台吸附环靠近所述石英玻璃的内边缘开设有若干个气槽。该技术是方案的有益效果在于,通过在载台主体上设置石英玻璃和载台吸附环,并在载台吸附环上设置内置气道,在靠近石英玻璃的一侧开设气槽;石英玻璃的上表面低于载台吸附环的上表面,当待测产品被放置于石英玻璃上时,由于石英玻璃上表面与载台吸附环之间存在高度差,从而使得原来出现鼓包的位置形成腔体,此时利用内置气道及气槽可以将该腔体内的多余气体排出,使晶圆平整贴附于石英玻璃上表面,提高后续检测的成像效果。
优选地,石英玻璃的上表面与载台吸附环的上表面的高度差可根据产品的性质进行调整。
优选的,所述石英玻璃的上表面与所述载台吸附环的上表面的高度差为0.01mm-1mm。
所述石英玻璃的外边缘设置有斜角。该技术方案的有益效果在于,通过在石英玻璃的外边缘设置斜角,以配合气槽,使晶圆与石英玻璃之间的气体流通更为顺畅,缩短多余气体排出的时间,有效提高整个检测流程的效率。
在所述石英玻璃上设置有若干个凸台,所述凸台设置于靠近斜角一侧的所述石英玻璃的上表面;所述凸台的上表面低于所述载台吸附环的上表面,所述凸台与所述气槽交错设置。该技术方案的有益效果在于,通过在靠近斜角一侧石英玻璃上表面给上设置凸台,形成第二个高度差,并且通过将凸台与气槽交错设置,进一步确保待测产品的外周无法轻易密封,进一步缩短多余气体排出的时间,提高检测效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造