[发明专利]光伏电池以及光伏组件在审
申请号: | 202210387930.1 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114975642A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 瞿佳华;金井升 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/054 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 以及 组件 | ||
本申请实施例涉及太阳能领域,提供一种光伏电池以及光伏组件,光伏电池包括:基底;第一减反射层,位于基底的一侧;第二减反射层,位于第一减反射层远离基底的一侧,沿垂直于第一减反射层指向第二减反射层方向的方向上,第一减反射层和第二减反射层中的一者的折射率呈增大趋势,另一者的折射率呈减小趋势,且第一减反射层和第二减反射层的折射率的差值先呈减小趋势然后呈增大趋势。本申请实施例至少有利于提高光伏电池对入射至光伏电池上的光的吸收率。
本申请是申请日为2022年01月28日,申请号为202210108488.4,发明名称为“光伏电池及其制造方法、光伏组件”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本申请实施例涉及太阳能领域,特别涉及一种光伏电池以及光伏组件。
背景技术
光伏电池对太阳光的反射率或吸收率是影响光伏电池光电转换效率的关键因素。目前业内光伏电池中常采用单层氮化硅、多层氮化硅或者氮化硅与其他材料膜层的叠层结构作为减反射结构。
然而,氮化硅膜层存在较大内应力,且在制备氮化硅膜层的工艺过程中由于氢元素的存在,会在氮化硅膜层中产生较多的缺陷,这些均会降低氮化硅膜层对光的吸收率,从而降低光伏电池对光的吸收率。
发明内容
本申请实施例提供一种光伏电池以及光伏组件,至少有利于提高光伏电池对光的吸收率。
根据本申请一些实施例,本申请实施例一方面提供一种光伏电池,包括:基底;第一减反射层,位于所述基底的一侧;第二减反射层,位于所述第一减反射层远离所述基底的一侧,沿垂直于所述第一减反射层指向所述第二减反射层方向的方向上,所述第一减反射层和所述第二减反射层中的一者的折射率呈增大趋势,另一者的折射率呈减小趋势,且所述第一减反射层和所述第二减反射层的折射率的差值先呈减小趋势然后呈增大趋势。
在一些实施例中,所述第一减反射层的折射率的最大值的变化范围与所述第二减反射层的折射率的最大值的变化范围相同,所述第一减反射层的折射率的最小值的变化范围与所述第二减反射层的折射率的最小值的变化范围相同。
在一些实施例中,所述第一减反射层的折射率最高值与所述第二减反射层的折射率最高值相同,所述第一减反射层的折射率最低值与所述第二减反射层的折射率最低值相同。
在一些实施例中,所述第一减反射层包括第一氮氧化硅材料,所述第二减反射层包括第二氮氧化硅材料,沿垂直于所述第一减反射层指向所述第二减反射层方向的方向上,所述第一减反射层和所述第二减反射层中一者的氧元素和氮元素的含量比值呈增大趋势,另一者的氧元素和氮元素的含量比值呈减小趋势
在一些实施例中,所述第一减反射层中氧元素和氮元素的含量比值不大于0.9,所述第二减反射层中氧元素和氮元素的含量比值不大于0.9。
在一些实施例中,所述第一氮氧化硅材料为氧化硅和氮化硅的混合物,所述第二氮氧化硅材料为氧化硅和氮化硅的混合物,沿垂直于所述第一减反射层指向所述第二减反射层方向的方向上,所述第一减反射层和所述第二减反射层中一者的氧化硅和氮化硅的含量比值呈增大趋势,另一者的氧化硅和氮化硅的含量比值呈减小趋势。
在一些实施例中,所述第一减反射层中氧化硅和氮化硅的含量比值变化范围为0~1,所述第二减反射层中氧化硅和氮化硅的含量比值变化范围为0~1。
在一些实施例中,沿垂直于所述第一减反射层指向所述第二减反射层方向的方向上,所述第一减反射层和所述第二减反射层中一者的氧元素含量呈增大趋势,另一者的氧元素含量呈减小趋势,且所述第一减反射层和所述第二减反射层中氧元素与硅元素的含量比值不大于0.5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司,未经浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210387930.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:语音呼叫方法、装置及电子设备
- 下一篇:一种慢病智能化管理方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的