[发明专利]IDE叉指电极的制作以及预功能化处理方法

权利要求书

1.一种IDE叉指电极的制作以及预功能化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)根据设计结构制作掩膜版，然后在洁净室环境中制作IDE生物传感器；

(2)IDE传感器的预功能化处理，包括依次对所述IDE传感器进行表面活化、盐化、连接聚合物、进行表面修饰和封闭步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述晶圆为4英寸晶圆，材质为硼硅酸盐玻璃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，在洁净室环境中制作IDE生物传感器包括以下步骤：

(1-1)在通风橱内对所述晶圆进行清洗；

(1-2)对所述晶圆进行旋涂；

(1-3)对所述掩膜版进行光刻掩模对准和紫外线曝光；

(1-4)在通风橱内对所述晶圆进行显影；

(1-5)在偏振光下用显微镜检查显影后的光刻胶图案；

(1-6)采用电子束蒸发器对所述晶圆进行金属沉积，在整个衬底上沉积一层Cr/Au金属；

(1-7)在通风柜内对所述晶圆进行金属剥离；

(1-8)对所述晶圆进行高速旋涂，在晶圆表面制备保护层；

(1-9)对所述晶圆进行湿切割。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述IDE传感器的预功能化处理方法包括以下步骤：

(2-1)采用超声波和溶剂，对所述IDE传感器进行清洗；

(2-2)使用等离子清洗机对所述IDE传感器进行表面活化，在其表面形成羟基；

(2-3)对所述IDE传感器进行第一次表面改性，即盐化步骤；

(2-4)对所述IDE传感器进行第二次表面改性，即连接聚合物；

(2-5)对所述IDE传感器进行表面修饰，将氨基修饰的寡核苷酸探针固定在传感器上；

(2-6)对所述IDE传感器进行封闭。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2-2)所述等离子清洗过程中，射频功率为150-300W，优选200W，真空设定值300.0mtorr，清洗时间为3-7min，优选5min。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2-3)所述盐化步骤中，采用体积分数为2％的APTES乙醇溶液，对所述IDE传感器进行摇动培养，时间为5min。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2-4)所述连接聚合物步骤中，采用体积分数为2.5％的戊二醛水溶液，对所述IDE传感器进行摇动培养，时间为2h。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2-5)所述表面修饰步骤中，寡核苷酸探针是根据要检测的目标基因所合成的互补序列，再在探针的5’端进行氨基修饰。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2-5)所述表面修饰步骤中，将浓度为100μM的末端氨基修饰的生物探针溶液注入IDE传感器表面的IDE传感器条内，在4-5℃培育15-16h。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2-6)所述封闭步骤中，将体积分数为1％的乙醇胺水溶液注入IDE传感器表面的IDE传感器条内，对所述IDE传感器进行封闭培养，时间为30min。