[发明专利]评估晶片上的缺陷区域的方法

权利要求书

1.一种评估晶片上的缺陷区域的方法，该方法包括：

制备镜面抛光晶片；

对晶片进行热处理；

清洗晶片以除去在热处理过程中形成的氧化膜；

对晶片进行抛光；和

评估晶片表面上的缺陷。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

对评价晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类。

3.如权利要求1所述的方法，其中，热处理在900℃-1100℃的温度下进行1-16小时。

4.如权利要求1所述的方法，其中，镜面抛光晶片具有反应离子蚀刻(RIE)缺陷区域，其含有氧析出物，

其中RIE缺陷区域设置在O带区域和空位主导纯(VDP)区域之间，并且

其中：

O带区域是在边缘区域或中心区域中以环状产生氧化诱导堆垛层错(OISF)缺陷的区域，并且

VDP区域是空位占主导地位的区域。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在热处理中，在晶片表面上形成氧化膜，氧析出物尺寸增大，并形成新的氧析出物。

6.如权利要求1所述的方法，其中，使用氢氟酸除去氧化膜。

7.如权利要求1所述的方法，其中，评估晶片表面上的缺陷使用粒子计数器(P-counter)或MAGICS(用于千兆位图案检测的多图像采集与共焦系统)来进行。

8.如权利要求1所述的方法，其中，在评估晶片表面上的缺陷时确定RIE缺陷区域，并且

其中，RIE区域是具有三个或更多连续点的区域，每个点的氧析出物密度为2ea/cm²或更高，并且密度通过在对评价晶片表面上的缺陷时检测到的氧析出物的尺寸进行分类后计算在晶片径向上每隔1毫米的氧析出物的密度而获得。