[发明专利]一种MEMS超薄悬浮膜释放方法

权利要求书

1.一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步，采用薄膜沉积方法制备支撑膜层，在支撑膜层上预先制备悬浮膜，得到晶圆结构；

第二步，在晶圆正面结构制备完成后，在晶圆背面进行背腔刻蚀区域的图形化；

第三步，直接通过深硅刻蚀进行干法刻蚀；

第四步，设计并制备贴片环掩模版，取与支持膜层同等大小的硅片作为陪片，在其抛光面将贴片环图形化，包括清洗、烘涂黏附剂、旋涂光刻胶、前烘、背面对准曝光、显影、显微镜检查、等离子体扫底膜、后烘，形成贴片环光刻胶台阶，贴片环后烘前，将之前刻蚀的膜结构晶圆正面朝下，切边对齐，通过贴片环光刻胶贴在陪片上，此时膜结构晶圆与陪片通过贴片环光刻胶相贴，但是中间结构区域处于悬空状态，不直接接触，放置热板后烘；

第五步，将贴片环保护的晶圆继续通过深刻蚀进行干法刻蚀，观察直至完全刻蚀干净，露出透明膜层为止；

第六步，最后通过棉棒蘸取有机溶剂的方式擦拭边缘贴片环光刻胶，使膜结构晶圆与陪片分离，完成膜结构释放。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：第一步中所述薄膜沉积方法包括热氧化、LPCVD、PECVD中的任意一种或多种组合。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：第一步中所述支撑膜层包括单层氧化硅、单层氮化硅、氧化硅和氮化硅的复合膜层、或者其他材料的封闭膜层或者具有开口的悬浮膜层。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：第二步中所述图形化方法，依次包括清洗、烘涂黏附剂、旋涂光刻胶、前烘、背面对准曝光、显影、显微镜检查、等离子体扫底膜、后烘。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：第三步中所述干法刻蚀至支撑膜层的厚度为30-50μm时停止刻蚀。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：第四步中所述贴片环为密闭结构，贴片环外径与晶圆直径相同，贴片环宽度不小于1cm；制备形成的贴片环光刻胶台阶厚度不低于8μm。