[发明专利]MOSFET BSIM4转换为BSIM-BULK模型方法

权利要求书

1.一种BSIM4转换为BSIM-BULK模型方法，其特征在于，包括：

将Cgc相关参数从BSIM4模型复用到BSIM-BULK模型；

将ioff相关参数从BSIM4模型复用到BSIM-BULK模型；

将LDE相关参数从BSIM4模型复用到BSIM-BULK模型；

基于复用的Cgc相关参数、ioff相关参数、LDE相关参数，对BSIM4模型进行转换得到处理得到BSIM-BULK模型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cgc相关参数包括：cgdo(非轻掺杂区域栅极到漏极交叠电容)，cgso(非轻掺杂区域栅极到源极交叠电容)，cgdl(轻掺杂区域栅极到漏极交叠电容)，cgsl(轻掺杂区域栅极到源极交叠电容)，ckappad(偏压相关的栅极到漏极交叠电容系数)，ckappas(偏压相关的栅极到源极交叠电容系数)，dlc(CV模型的沟道长度补偿系数)中至少其一。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Cgc相关参数还包括llc(CV模型的长度相关沟道长度补偿系数)，lwc(CV模型的宽度相关沟道长度补偿系数)，lwlc(CV模型的长度宽度相关沟道长度补偿系数)，dwc(CV模型的沟道宽度补偿系数)，wlc(CV模型的长度相关沟道宽度补偿系数)，wwc(CV模型的宽度相关沟道宽度补偿系数)，wwlc(CV模型的长度宽度相关沟道宽度补偿系数)中至少其一。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，ioff相关参数即关断状态下电流相关参数，ioff相关参数包括jtsswgd(栅极到漏极侧壁饱和电流)，jtsswgs(栅极到源极侧壁饱和电流)，njtsswgd(参数jtsswgd的指数系数)，njtsswg(参数jtsswgs的指数系数)，vtsswgd(栅极到漏极侧壁电压相关系数)，vtsswgs(栅极到源极侧壁电压相关系数)，xtsswgd(参数jtsswgd的温度系数)，xtsswgs(参数jtsswgs的温度系数)，tnjtsswgd(参数njtsswgd的温度系数)，tnjtsswg(参数njtsswg的温度系数)，agidl/bgidl/cgidl/egidl(栅致漏极泄露电流系数)，agisl/bgisl/cgisl/egisl(栅致源极泄露电流系数)中至少其一。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，ioff相关参数还包括参数jtsswgd/jtsswgs/agidl外挂公式中至少其一。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于BSIM内建LDE，直接将BSIM4模型参数复用到BSIM-BULK模型；对于BSIM外挂LDE，直接将BSIM4模型外挂公式和参数复用到BSIM-BULK模型；其中BSIM4模型参数中的vth0相关公式需要复用到BSIM-BULK模型参数中的vfb，nmos复用公式保持不变，pmos需要在复用公式前加上一个负号。