[发明专利]Mylar热熔装置及工艺

权利要求书

1.一种Mylar热熔装置，其特征在于，所述Mylar热熔装置包括：

第一上料机构，包括第一承托台以及导向件，所述第一承托台的第一侧面设有第一定位件且所述第一承托台的第一侧面用于放置Mylar底托板与Mylar，所述第一定位件用于使所述Mylar底托板与Mylar对齐，所述导向件滑动连接于所述第一承托台的第二侧面用于驱动所述第一承托台移动；

热熔机构，包括热熔块以及第一运动组件，所述第一运动组件连接于所述热熔块且能够带动所述热熔块在靠近所述第一承托台的第一侧面的空间内移动，所述热熔块用于使所述Mylar热熔于所述Mylar底托板形成Mylar组件。

2.根据权利要求1所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第一运动组件包括第一水平导轨与第一竖直导轨，所述第一水平导轨与所述第一竖直导轨的长度方向相互垂直，所述第一水平导轨的长度方向与所述第一承托台的长度方向相平行，所述第一竖直导轨的一侧滑动连接于所述第一水平导轨，所述第一竖直导轨的另一侧滑动连接于所述热熔块。

3.根据权利要求1所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述Mylar热熔装置还包括第二上料机构，所述第二上料机构包括上料携持件以及第二运动组件，所述上料携持件用于夹持Mylar，所述第二运动组件连接于所述上料携持件能够带动所述上料携持件靠近或远离所述第一承托台用于转运Mylar。

4.根据权利要求3所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第二运动组件包括第二水平导轨与第二竖直导轨，所述第二水平导轨与所述第一水平导轨的长度方向相互平行，所述第二水平导轨与所述第一水平导轨相错设置，所述第二竖直导轨的一侧滑动连接于所述第二水平导轨，所述第二竖直导轨的另一侧滑动连接于所述上料携持件。

5.根据权利要求1-4任一项所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述Mylar热熔装置还包括下料机构，所述下料机构包括下料携持件以及第三运动组件，所述下料夹持件用于夹持所述Mylar组件，所述第三运动组件连接于所述下料携持件能够带动所述下料携持件靠近或远离所述第一承托台用于转运热熔后的Mylar组件。

6.根据权利要求5所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第三运动组件包括第三水平导轨与第三竖直导轨，所述第三水平导轨与所述第一水平导轨的长度方向相互平行，所述第三水平导轨与所述第一水平导轨相错设置，所述第三竖直导轨的一侧滑动连接于所述第三水平导轨，所述第三竖直导轨的另一侧滑动连接于所述下料携持件。

7.根据权利要求1所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第一定位件为销钉，所述销钉的数量为至少两个；或，

所述第一定位件为限位框，所述限位框的内壁用于与所述Mylar组件的外周相贴合。

8.一种Mylar热熔工艺，其特征在于，包括如下步骤：

第一承托台位于第一入料处，Mylar底托板入料于所述第一承托台，并通过所述第一承托台上的第一定位件实现定位；

所述第一承托台移动至组合定位处，Mylar入料于所述Mylar底托板上方，并通过所述第一定位件使所述Mylar与所述Mylar底托板对齐；

所述第一承托台移动至热熔处，第一运动组件带动热熔块运动使所述Mylar与所述Mylar底托板进行热熔形成Mylar组件；

所述第一承托台移动回组合定位处，所述Mylar组件出料。

9.根据权利要求8所述的Mylar热熔工艺，其特征在于，Mylar入料于所述Mylar底托板上方，包括如下步骤：

上料携持件移动至第二入料处；

所述上料携带件于所述第二入料处携带所述Mylar；

所述上料携带件带动所述Mylar移动至所述组合定位处。

10.根据权利要求8所述的Mylar热熔工艺，其特征在于，Mylar组件出料，包括如下步骤：

下料携带件移动至所述组合定位处；

所述下料携带件于所述组合定位处携带所述Mylar组件；

所述下料携带件带动所述Mylar组件移动至出料处。