[发明专利]OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法在审
申请号: | 202210347409.5 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN114824150A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 匡友元 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 林劲松 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示屏 制备 方法 | ||
本申请提供一种OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法,涉及了显示技术领域,解决了采用激光打孔方式去除电致发光层时会存在膜层残留,导致接触不良的问题,方法包括提供一基板;在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;去除辅助电极层所在区域上方的所有膜层,并形成通孔;向通孔内导入导电粒子,并在通孔的底部形成微导电层;在电子注入层上以及通孔与微导电层所构成的空间内形成阴极层,阴极层通过微导电层与辅助电极层电性连接。本申请在通孔的底部形成微导电层,阴极层与辅助电极层良好接触而导通,解决了显示面板压降仍较大问题,进而改善OLED显示面板的显示不均。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法。
背景技术
平板显示产业作为电子信息产业的支柱产业之一,凭借其巨大的经济效应与产业集聚效应,对一个国家和地区技术、经济的发展至关重要。虽然薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的液晶显示技术占据了当今显示主流,但是有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)技术目前最有可能取代TFT-LCD技术成为下一代新型显示技术。
在大尺寸OLED面板制造中,目前主流方法有是采用真空蒸镀或者IJP(Ink JetPrinting,喷墨打印)技术制得OLED面板的各层结构,因为阴极面电阻随着尺寸增大,阴极中心与边缘的电压压降存在较大差异,会导致产品出现显示不均(Mura),为解决这一问题,通常是在辅助电极制作完成后,通过激光(laser)打孔方式,将辅助电极成膜的电致发光(EL)层(阴极与辅助电极之间)去除,然后再制作阴极与底部辅助电极的连接结构,在采用喷墨打印(Ink Jet Printing,IJP)制得的OLED器件结构时,可以采用上述方式可以较好地去除ETL功能层,但存在喷墨打印膜层残留的问题,导致接触不良,Mura改善有限。
发明内容
本申请提供一种能够较好地改善面板中的电压压降问题,改善OLED显示面板的显示不均问题的一种OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法。
一方面,本申请提供一种OLED显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供一已形成有像素阵列的基板;
在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
去除所述辅助电极层所在区域上方的所有膜层,并形成通孔;
向所述通孔内导入导电粒子,并在所述通孔的底部形成微导电层;
在所述电子注入层上以及所述通孔与所述微导电层所构成的空间内形成阴极层,所述阴极层通过微导电层与所述辅助电极层电性连接。
在本申请一种可能的实现方式中,在所述向所述通孔内导入导电粒子,并在所述通孔的底部形成微导电层之前,所述方法包括:
在所述电子注入层上方采用光罩对除所述通孔所在区域的其他区域进行遮挡,暴露出所述通孔。
在本申请一种可能的实现方式中,所述在所述通孔内导入导电粒子,并在所述通孔的底部形成微导电层,包括:
通过溅射方式或者真空蒸镀方式在所述通孔内导入导电粒子,并在所述通孔的底部形成微导电层。
在本申请一种可能的实现方式中,所述微导电层的厚度为所述通孔的深度的1/10~3/10。
在本申请一种可能的实现方式中,所述导电粒子包括铝粒子、银粒子、镁粒子或者其中任意两者构成的合金粒子。
在本申请一种可能的实现方式中,所述去除所述辅助电极层所在区域上方的所有膜层,并形成通孔,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择