[发明专利]一种铜基吸附剂及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202210346950.4 申请日: 2022-04-01
公开(公告)号: CN114669267B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 李凯;杨薪玉;王飞;宁平;孙鑫;马懿星;王驰;宋辛;冯嘉予 申请(专利权)人: 江西省蔚蓝环境工程技术有限公司
主分类号: B01J20/02 分类号: B01J20/02;B01D53/04;B01J20/30
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 霍苗
地址: 337016 江西省萍乡市湘*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 吸附剂 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明属于吸附材料技术领域,具体涉及一种铜基吸附剂及其制备方法和应用。本发明提供了一种铜基吸附剂的制备方法,包括以下步骤:将氮源、碳源和铜源混合后焙烧,得到所述铜基吸附剂。在本发明中,在焙烧的过程中,铜源分解得到氧化铜,氮源和碳源发生分解并掺杂在氧化铜中,形成具有多孔结构的吸附材料;且通过碳氮掺杂能够提供更多的碱性位点,更有利于吸附酸性的Hsubgt;2/subgt;S,提高Hsubgt;2/subgt;S的吸附效率。

技术领域

本发明属于吸附材料技术领域,具体涉及一种铜基吸附剂及其制备方法和应用。

背景技术

H2S是一种无色、有腐蚀性且易燃的剧毒性气体,主要产生于煤炭、天然气以及炼油等行业,若不经任何处理就直接将H2S进行排放,会对周围环境和人体健康造成极不利的影响。据报道,暴露于较低浓度的H2S环境中,可导致眼睛刺激、喉咙疼痛、咳嗽、恶心、呼吸短促和肺水肿;而高浓度的H2S则会很快削弱人的嗅觉,使人死亡。因此对H2S的脱除具有重要性和必要性。

目前,国内外针对H2S的脱除主要采用湿法脱除,即采用碱液对H2S进行吸附,但是此方法容易产生大量的废液,会带来二次污染,增加环境负担。相比之下,吸附氧化法可能是最具潜力的H2S脱除方法,吸附氧化法主要是利用多孔的吸附材料来净化脱除H2S,H2S吸附于吸附材料的表面并进一步氧化为其他硫化物以达到脱除H2S的目的。但是目前的吸附剂对于H2S的吸附效率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铜基吸附剂及其制备方法和应用,本发明提供的铜基吸附剂对H2S具有较高的吸附效率。

为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

本发明提供了一种铜基吸附剂的制备方法,包括以下步骤:

将氮源、碳源和铜源混合后焙烧,得到所述铜基吸附剂。

优选的,所述氮源包括尿素、三聚氰胺和缩二脲中的一种或几种;

所述碳源包括葡萄糖、蔗糖和淀粉中的一种或几种;

所述铜源包括铜盐。

优选的,所述氮源、碳源和铜源的质量比为(2~10):(1~4):(1~6)。

优选的,所述混合的方式为研磨;所述研磨的时间为10~30min。

优选的,所述焙烧的温度为300~700℃,时间为2~5h;升温至所述焙烧温度的升温速率为2~10℃/min。

本发明还提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的铜基吸附剂,所述铜基吸附剂为碳氮掺杂氧化铜。

本发明还提供了上述技术方案所述铜基吸附剂在脱除H2S中的应用。

优选的,所述应用包括以下步骤:

将含有H2S的气体和所述铜基吸附剂进行气固反应,得到失活的铜基吸附剂。

优选的,所述铜基吸附剂的添加量为0.1~0.5g;

所述含有H2S的气体中H2S的浓度为400~1000ppm;所述含有H2S的气体的流速为80~120mL/min。

优选的,所述气固反应的温度为60~110℃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西省蔚蓝环境工程技术有限公司,未经江西省蔚蓝环境工程技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210346950.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top