[发明专利]存储器的磨损均衡方法和装置、存储器和电子设备

说明书

本公开实施例提供一种存储器的磨损均衡方法和装置、存储器和电子设备，所述存储器包括：多个存储单元，用于存储数据；第一控制单元，用于接收写入请求，所述写入请求中携带输入地址；基于所述输入地址的地址映射函数将所述输入地址映射到目标地址，以将数据写入所述目标地址对应的存储单元；一个输入地址的地址映射函数基于所述输入地址的写入次数的累积分布特征生成，所述累积分布特征用于表征所述输入地址与所述存储器中位于所述输入地址之前的各个在前输入地址的累积写入次数。

技术领域

本公开涉及芯片技术领域，尤其涉及存储器的磨损均衡方法和装置、存储器和电子设备。

背景技术

存储器内部存储单元的磨损程度取决于其擦写次数，同一个输入地址被系统应用重复写入，那么该输入地址对应的存储单元磨损程度就会比较高，若达到存储单元的耐久度上限就可能会导致该存储单元损坏而读写出错，进而对整个存储器的可靠性造成严重影响。实际上系统应用对输入地址的访问通常具有局部高频的特点，如果对输入地址不做磨损均衡处理，就会造成存储器内各个存储单元磨损度存在较大差异，而整个存储器可靠性的一般是由内部磨损度最大的存储单元决定，这会使整个存储器在还有大量磨损度较低的存储单元没有被使用的情况下宣告整体使用寿命消耗完毕。因此，有必要对输入地址进行磨损均衡(Wear leveling)，从而增加存储器的耐久度。然而，相关技术中的磨损均衡方式的复杂度较高。

发明内容

第一方面，本公开实施例提供一种存储器，所述存储器包括：多个存储单元，用于存储数据；第一控制单元，用于接收写入请求，所述写入请求中携带输入地址；基于所述输入地址的地址映射函数将所述输入地址映射到目标地址，以将数据写入所述目标地址对应的存储单元；一个输入地址的地址映射函数基于所述输入地址的写入次数的累积分布特征生成，所述累积分布特征用于表征所述输入地址与所述存储器中位于所述输入地址之前的各个在前输入地址的累积写入次数。

在一些实施例中，所述第一控制单元基于以下方式将所述输入地址映射到所述目标地址：在所述存储器中各个输入地址的写入次数的总和大于第一预设次数阈值的情况下，基于所述写入请求中的输入地址的地址映射函数将所述写入请求中的输入地址映射到目标地址；和/或在所述存储器中各个输入地址的写入次数的总和小于或等于所述第一预设次数阈值的情况下，将所述写入请求中的输入地址确定为所述目标地址。

在一些实施例中，所述第一控制单元基于以下方式将所述写入请求中的输入地址映射到所述目标地址：基于所述输入地址的地址映射函数将所述输入地址映射到第一地址；基于所述输入地址和所述第一地址确定地址映射比例；基于所述地址映射比例确定所述输入地址对应的偏移量；基于所述输入地址对应的偏移量将所述输入地址映射到所述目标地址，不同的输入地址对应不同的偏移量。

在一些实施例中，所述第一控制单元基于以下方式将所述写入请求中的输入地址映射到所述目标地址：在所述地址映射比例等于1的情况下，所述输入地址对应的偏移量基于所述第一地址确定；和/或在所述地址映射比例大于1的情况下，所述输入地址对应的偏移量基于所述输入地址在全部输入地址中的编号与输入地址的总数之间的余数确定；和/或在所述地址映射比例小于1的情况下，所述输入地址对应的偏移量通过所述第一控制单元分配得到。

在一些实施例中，各个输入地址被划分为多个地址段，同一地址段内各个输入地址的地址映射比例相同，且同一地址段内各个输入地址的偏移量不同。

在一些实施例中，所述多个存储单元被划分为多个存储块，所述存储器还包括多个第二控制单元，每个存储块对应一个第二控制单元；所述第一控制单元还用于：向所述第二控制单元发送数据迁移指令，以使所述第二控制单元将所在存储块中写入次数大于第二预设次数阈值的存储单元中的数据搬运到所在存储块中写入次数小于第三预设次数阈值的存储单元，所述第二预设次数阈值大于所述第三预设次数阈值。