[发明专利]电子雾化装置及其雾化芯、多孔体和多孔体的制造方法

权利要求书

1.一种多孔体，用于电子雾化装置，其特征在于，该多孔体包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及沿着所述第一表面到所述第二表面的方向依次设置的至少两个单元层，所述至少两个单元层中的一个至少包括储液优势层或锁液优势层，所述至少两个单元层中的其他每一单元层均包括储液优势层以及与该储液优势层结合在一起的锁液优势层。

2.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述至少两个单元层中的每一单元层均包括储液优势层以及与该储液优势层结合在一起的锁液优势层，所述至少两个单元层的储液优势层和锁液优势层沿着所述第一表面到所述第二表面的方向呈交替式结合在一起。

3.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述锁液优势层的厚度为10-200μm。

4.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述多孔体的厚度为0.8-3.0mm。

5.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述多孔体的平均孔隙率为50％-75％。

6.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，每一单元层的厚度为0.1-1.5mm。

7.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述储液优势层包括大孔径结构层，所述锁液优势层包括小孔径结构层，所述大孔径结构层的平均孔径是所述小孔径结构层的平均孔径的1.5-2.5倍。

8.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述储液优势层包括大孔径结构层，所述锁液优势层包括小孔径结构层，所述大孔径结构层的平均孔径范围是50-150μm，所述小孔径结构层的平均孔径范围是20-100μm。

9.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述储液优势层包括高孔隙率层，所述锁液优势层包括低孔隙率层，所述高孔隙率层的孔隙率是所述低孔隙率层的孔隙率的1.2-2倍。

10.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述储液优势层包括高孔隙率层，所述锁液优势层包括低孔隙率层，所述高孔隙率层的孔隙率范围是55％-90％，所述低孔隙率层的孔隙率范围是55％-90％。

11.根据权利要求1所述的多孔体，其特征在于，所述多孔体为一体成型的多孔氧化铝陶瓷、多孔氧化硅、多孔堇青石、多孔碳化硅、多孔氮化硅、多孔莫来石、或复合多孔陶瓷。

12.一种根据权利要求1至11任一项所述的多孔体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供至少两对不同孔隙率或不同孔径的生坯；

将所述至少两对生坯交替地堆叠，形成一个生坯组合体；

对所述生坯组合体进行共烧，形成一体的多孔体。

13.根据权利要求12所述的多孔体的制造方法，其特征在于，所述步骤中的生坯采用流延或挤压成型。

14.根据权利要求12所述的多孔体的制造方法，其特征在于，所述步骤中的生坯中，部分生坯采用流延成型，部分生坯采用挤压或注塑成型。

15.一种雾化芯，用于电子雾化装置，包括发热体，其特征在于，还包括权利要求1至11任一项所述的多孔体，所述发热体设置于所述至少两个单元层中的一个的储液优势层或锁液优势层表面。

16.根据权利要求15所述的雾化芯，其特征在于，所述发热体为多孔发热膜或金属发热片。

17.一种电子雾化装置，包括储液腔以及雾化腔，其特征在于，还包括权利要求15或16所述的雾化芯，所述多孔体的设置所述发热体的表面与所述雾化腔导气连通，所述多孔体的与所述设置所述发热体的表面相对的另一表面与所述储液腔导液连通。