[发明专利]一种脑电极器件及其制备方法

权利要求书

1.一种脑电极器件，其特征在于，包括信号采集芯片(1)、脑电极结构(2)和电路板(3)；

所述信号采集芯片(1)设于所述电路板(3)上，所述信号采集芯片(1)通过与所述电路板(3)的外围电路的配合能够实现对信号的模数转换、放大和滤波；

所述信号采集芯片(1)的焊盘区域(11)与所述脑电极结构(2)的焊盘结构(21)通过倒装焊连接；

所述脑电极结构(2)用于采集脑电信号。

2.根据权利要求1所述的脑电极器件，其特征在于，所述焊盘区域(11)上设有第一焊点阵列；

所述焊盘结构(21)上设有与所述第一焊点阵列对应的第二焊点阵列。

3.根据权利要求1所述的脑电极器件，其特征在于，所述脑电极结构(2)包括连接与所述焊盘结构(21)连接的接触电极结构(22)；

所述接触电极结构(22)通过与头皮层的接触来实现脑电信号的采集；

所述接触电极结构(22)为非侵入式、半侵入式和侵入式中的任一种。

4.根据权利要求3所述的脑电极器件，其特征在于，所述信号采集芯片(1)位于所述电路板(3)的第一区域；

所述第一区域靠近所述电路板(3)的端部；

所述接触电极结构(22)能够伸出所述电路板(3)的端部与所述头皮层接触。

5.根据权利要求3所述的脑电极器件，其特征在于，所述接触电极结构(22)包括柔性支撑层、电极线结构和绝缘层；

所述柔性支撑层上设有所述电极线结构；

所述电极线结构包括电极线和接触电极(221)；

所述电极线的一端与所述接触电极(221)连接，所述电极线的另一端与所述焊盘结构(21)的焊点连接；

所述电极线结构上设有所述绝缘层，所述绝缘层包括电极孔，所述电极孔用于暴露出所述接触电极(221)。

6.根据权利要求5所述的脑电极器件，其特征在于，所述接触电极(221)的材料包括铬/金、铬/银或者铬/铂；

所述柔性支撑层为柔性薄膜材料。

7.根据权利要求2所述的脑电极器件，其特征在于，所述第一焊点阵列包括128×128个焊点；

所述第二焊点阵列包括128×128个焊点；

且相邻的焊点之间的间距为100微米。

8.根据权利要求3所述的脑电极器件，其特征在于，所述接触电极结构(22)包括K个子接触电极结构(222)，所述K为大于等于1的整数；

所述K个子接触电极结构(222)中相邻的子接触电极结构(222)之间存在预设间隔。

9.根据权利要求8所述的脑电极器件，其特征在于，所述K个子接触电极结构(222)位于同一平面。

10.一种脑电极器件的制备方法，其特征在于，包括：

制备所述脑电极结构(2)；所述脑电极结构(2)用于采集脑电信号；

将所述脑电极结构(2)的焊盘结构(21)采用倒装焊与所述信号采集芯片(1)的焊盘区域(11)连接；

将所述信号采集芯片(1)安装在电路板(3)上，所述信号采集芯片(1)通过与所述电路板(3)的外围电路的配合能够实现对信号的模数转换、放大和滤波。