[发明专利]一种促进樟芝深层发酵无性产孢的方法及其培养基和应用

权利要求书

1.一种促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，在樟芝深层发酵培养基中添加金属离子，然后再接种樟芝进行发酵；所述金属离子为Ca²⁺、Fe²⁺及Zn²⁺中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，所述金属离子在培养基中的添加量为：Ca²⁺终浓度0.2～10mmol/L、Fe²⁺终浓度0.05～0.3mmol/L，Zn²⁺终浓度0.05～0.2mmol/L。

3.根据权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，所述金属离子Ca²⁺、Fe²⁺和Zn²⁺优选同时添加到樟芝深层发酵培养基中。

4.根据权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，所述金属离子添加方式为：在培养基灭菌前添加，然后和培养基一起灭菌；或者在培养基灭菌后，接种前将金属离子溶液除菌后添加；或者在培养基灭菌后，先接种樟芝，再将金属离子溶液除菌后添加。

5.根据权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，所述金属离子主要以金属离子化合物的形式添加，包括CaCl₂、FeCl₂、ZnCl₂中的一种或者多种。

6.根据权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，所述樟芝接种为将樟芝孢子悬浮液按1×10⁵个/mL-5×10⁶个/mL的接种量接种到培养基中；接种后在24-27℃、50-300r/min条件下振荡培养8-15d。

7.根据权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法，其特征在于，所述樟芝深层发酵培养基配方为：葡萄糖1％-10％、酵母浸出粉0.1％-2％、MgSO40.1％-1％、KH₂PO₄0.1％-1％，初始pH 2.0-6.5。

8.一种促进樟芝深层发酵无性产孢的培养基，其特征在于，包括樟芝深层发酵培养基和金属离子，所述樟芝深层发酵培养基配方为：葡萄糖1％-10％、酵母浸出粉0.1％-2％、MgSO4 0.1％-1％、KH₂PO₄ 0.1％-1％，初始pH 2.0-6.5；所述金属离子为Ca²⁺、Fe²⁺及Zn²⁺中的一种或几种，其在樟芝深层发酵培养基浓度分别为Ca²⁺终浓度0.2～10mmol/L、Fe²⁺终浓度0.05～0.3mmol/L，Zn²⁺终浓度0.05～0.3mmol/L。

9.一种权利要求1所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的方法在提高樟芝无性孢子制备效率，降低樟芝深层发酵生产成本中的应用。

10.一种权利要求8所述的促进樟芝深层发酵无性产孢的培养基在提高樟芝无性孢子制备效率，降低樟芝深层发酵生成本中的应用。