[发明专利]光检测装置在审
| 申请号: | 202210310660.4 | 申请日: | 2016-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN114759051A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
| 发明(设计)人: | 田中裕介;永野隆史;若野寿史;松沼健司 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈睆;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 装置 | ||
1.一种光检测装置,包括:
半导体基板,所述半导体基板包括浮置扩散节点;以及
配线层,所述配线层包括:
第一配线,所述第一配线连接至所述浮置扩散节点;
第一中空区域;和
第二中空区域,其中,所述第一中空区域、所述第一配线和所述第二中空区域依次排列在特定方向上。
2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述特定方向是水平方向。
3.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述特定方向是垂直方向。
4.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,
所述配线层还包括:
第二配线,所述第二配线不同于所述第一配线;以及
第三中空区域,并且
所述第一配线、所述第三中空区域和所述第二配线依次排列在水平方向上。
5.根据权利要求4所述的光检测装置,其中,所述第三中空区域包括在所述第一配线与所述第二配线之间的第一区域的至少一部分。
6.根据权利要求4所述的光检测装置,还包括:
传输晶体管,其中,
所述配线层还包括:
第三配线,所述第三配线连接至所述传输晶体管;以及
第四中空区域,并且
所述第四中空区域包括在所述第一配线与所述第三配线之间的第二区域的至少一部分。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的光检测装置,其中,所述第一配线不接触所述第一中空区域和所述第二中空区域中的每一者。
8.一种光检测装置,包括:
半导体基板,所述半导体基板包括浮置扩散节点;
放大晶体管;以及
配线层,所述配线层包括:
第一配线,所述第一配线连接所述浮置扩散节点和所述放大晶体管;和
第一中空区域,其中,所述第一配线、所述第一中空区域和所述放大晶体管依次排列在特定方向上。
9.根据权利要求8所述的光检测装置,其中,所述特定方向是水平方向。
10.根据权利要求8所述的光检测装置,其中,所述特定方向是垂直方向。
11.根据权利要求8所述的光检测装置,其中,
所述配线层还包括:
第二配线,所述第二配线不同于所述第一配线;以及
第二中空区域,并且
所述第一配线、所述第二中空区域和所述第二配线依次排列在水平方向上。
12.根据权利要求11所述的光检测装置,其中,所述第二中空区域包括在所述第一配线与所述第二配线之间的第一区域的至少一部分。
13.根据权利要求11所述的光检测装置,还包括:
传输晶体管,其中,
所述配线层还包括:
第三配线,所述第三配线连接至所述传输晶体管;以及
第三中空区域,并且
所述第三中空区域包括在所述第一配线与所述第三配线之间的第二区域的至少一部分。
14.根据权利要求8至10中任一项所述的光检测装置,其中,所述第一配线不接触所述第一中空区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





