[发明专利]一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑太赫兹光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。

2.如权利要求1所述的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：所述的衬底是本征高阻硅，其电阻率为10000Ω·cm，厚度为500μm；覆盖其上的是二氧化硅层，厚度为300nm。

3.如权利要求1所述的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：所述的碲化锑为薄层材料，厚度为80～90nm。

4.如权利要求1所述的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：所述的源、漏电极为金属复合电极，包括铬电极和金电极，整体大小为220μm×140μm，下层金属为铬，作为粘附层，厚度是5nm，上层金属为金，厚度是50nm；相应的引线电极，厚度为200～400nm。

5.如权利要求1-4任一权利要求所述的基于碲化锑材料的室温高性能的太赫兹光电探测器制备的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，首先使用丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水将覆盖二氧化硅的硅衬底进行表面超声清洗，通过精密切割技术将衬底切成1cm×1cm的样品；

步骤二，通过转移平台微区定位方法，利用干法转移技术，使用蓝胶胶带将沉积生长的碲化锑进行机械剥离，然后转移到上述衬底上，进行编号定位标记；

步骤三，使用热板烘烤以及匀胶机匀胶涂覆，使光刻胶5350均匀附着在上述衬底和碲化锑材料上；

步骤四，结合使用紫外光刻、电子束蒸发法及传统剥离工艺制备与碲化锑接触的源、漏电极，形成良好的欧姆接触。

6.如权利要求5所述的基于碲化锑材料的室温高性能的太赫兹光电探测器制备的方法，其特征在于：包括步骤六，采用标准的半导体封装技术，把器件贴到PCB底座上，引线，简单封装完成制备蝶形天线集成的碲化锑太赫兹光电探测器。