[发明专利]存储系统、存储器及其编程方法

说明书

本公开实施例提供一种存储系统、存储器及其编程方法，所述存储器包括多条存储单元串，所述存储单元串包括多个存储单元；其中，待编程的所述存储单元的栅极连接选择字线，未编程的所述存储单元的栅极连接未选择字线；所述存储器的编程方法包括：将编程电压施加到所述选择字线，并在第一时间间隔内将第一通过电压施加到所述未选择字线；在所述第一时间间隔内的预设时刻，断开所述存储单元串与对应位线的电连接；在所述第一时间间隔后的第二时间间隔内，将小于所述第一通过电压的第二通过电压施加到所述未选择字线。

技术领域

本公开属于半导体技术领域，具体涉及但不限于一种存储系统、存储器及其编程方法。

背景技术

半导体存储设备可以主要地分为易失性存储设备和非易失性存储设备。其中，非易失性存储设备即使在电源断电时也能保持存储的数据，因此通常被用作便携式和/或电子产品上的存储介质等。常见的非易失性存储设备包括闪存(Flash)、相变随机存储器(Phase Change Random Access Memory，PCRAM)、磁性随机存储器(MagnetoresistiveRandom Access Memory，MRAM)、阻变随机存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)或铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)等

随着半导体技术的进步，三维NAND闪存(3D NAND Flash)逐渐作为主流的存储设备，其通过堆叠的多层存储单元来增加存储器的存储密度，以适应社会大数据的存储需求。随着3D NAND的层数增加，对存储设备的控制(例如，编程、读取或擦除等)要求也随之增加。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供了一种存储系统、存储器及其编程方法。

第一方面，本公开实施例提供了一种存储器的编程方法，所述存储器包括多条存储单元串，所述存储单元串包括多个存储单元；其中，待编程的所述存储单元的栅极连接选择字线，未编程的所述存储单元的栅极连接未选择字线；所述编程方法包括：

将编程电压施加到所述选择字线，并在第一时间间隔内将第一通过电压施加到所述未选择字线；

在所述第一时间间隔内的预设时刻，断开所述存储单元串与对应位线的电连接；

在所述第一时间间隔后的第二时间间隔内，将小于所述第一通过电压的第二通过电压施加到所述未选择字线。

在一些实施例中，所述断开所述存储单元串与对应位线的电连接，包括：

将第一截止电压施加到所述存储单元串连接的顶部选择开关。

在一些实施例中，施加所述编程电压至所述预设时刻的时长为第一预设时长；所述在所述第一时间间隔，断开所述存储单元串与对应位线的电连接，包括：

响应于施加所述编程电压的时长达到所述第一预设时长时，断开所述存储单元串与对应位线的电连接。

在一些实施例中，所述第一通过电压与所述第二通过电压的差值为第一电压差；其中，所述第一电压差基于所述选择字线上未编程的所述存储单元的阈值电压确定。

在一些实施例中，所述第二通过电压大于或等于所述存储单元串上未编程的所述存储单元的阈值电压中的最大电压。

在一些实施例中，所述断开所述存储单元串与对应位线的电连接之前，所述编程方法还包括：

将开启电压施加到所述顶部选择开关；以及

将第二截止电压施加到所述存储单元串连接的底部选择开关。

在一些实施例中，所述将编程电压施加到所述选择字线之前，所述编程方法还包括：

在预定的预充电时段内，开启所述底部选择开关；