[发明专利]一种非接触式材料特性检测方法及系统在审

专利信息
申请号: 202210302578.7 申请日: 2022-03-25
公开(公告)号: CN114594088A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 伍莹;孙俊逸 申请(专利权)人: 光渡飞通(苏州)科技有限公司
主分类号: G01N21/66 分类号: G01N21/66;G01N21/63
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王娅洁;王永文
地址: 215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 接触 材料 特性 检测 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述方法包括:

预先在待测材料表面生成接收层和发射层;

电极激发光照射接收层;

接收层对电极激发光进行光电转换,并产生作用于待测材料的电极信号;

判断电极信号能否激发待测材料,若电极信号能激发待测材料,待测材料产生载流子;

载流子作用于发射层,发射层发射出待测信号光;

外部检测设备根据待测信号光获取待测材料的特性参数。

2.如权利要求1所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述预先在待测材料表面生成接收层和发射层的步骤包括:

在待测材料的表面生成发射层;

在发射层上生成接收层。

3.如权利要求1所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述预先在待测材料表面生成接收层和发射层的步骤中:

所述接收层包括InGaAs薄膜层或者Si薄膜层或者AlGaN薄膜层或者二维材料薄膜层。

4.如权利要求1所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述预先在待测材料表面生成接收层和发射层的步骤中:

所述发射层包括GaAs薄膜层或者GaN薄膜层或者InP薄膜层或者二维材料薄膜层。

5.如权利要求1所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述判断电极信号能否激发待测材料,若电极信号能激发待测材料,待测材料产生载流子的步骤还包括:

若电极信号不能激发待测材料,增加额外的直接激发光照射待测材料表面,激发待测材料产生载流子。

6.如权利要求5所述的所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述若电极信号不能激发待测材料,增加额外的直接激发光照射待测材料表面,激发待测材料产生载流子的步骤包括:

直接激发光照射待测材料表面;

待测材料通过直接激发光激发产生载流子。

7.如权利要求1所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,所述外部检测设备根据待测信号光获取待测材料的特性参数的步骤包括:

判断在激发位置能否测试待测信号光,若在激发位置能测试待测信号光,通过外部检测设备接收待测信号光;

外部检测设备根据待测信号光获得待测材料的特性参数。

8.如权利要求7所述的非接触式材料特性检测方法,其特征在于,判断在激发位置能否测试待测信号光,若在激发位置能测试待测信号光,通过外部检测设备接收待测信号光的步骤还包括:

若在激发位置不能测试待测信号光,则在待测材料的表面生成光波导;

通过光波导将待测信号光引导至指定位置;

在指定位置通过外部检测设备接收待测信号光;

外部检测设备根据待测信号光获得待测材料的特性参数。

9.一种非接触式材料特性检测系统,用于实现权利要求1-8任一项中所述非接触式材料特性检测方法的步骤,其特征在于,所述系统包括:

待测材料;

电极激发光,所述电极激发光用于照射所述待测材料,激发待测材料产生载流子;

接收层,所述接收层设置于所述待测材料上,用于对电极激发光进行光电转换,并产生作用于待测材料的电极信号,用以激发待测材料产生载流子;

发射层,所述发射层设置所述接收层与所述待测材料之间,用于与待测材料的载流子发生作用,并发射出待测信号光;

外部检测设备,用于根据待测信号光获取待测材料的特性参数。

10.如权利要求9所述的非接触式材料特性检测系统,其特征在于,所述接收层包括InGaAs薄膜层或者Si薄膜层或者AlGaN薄膜层或者二维材料薄膜层,所述发射层包括GaAs薄膜层或者GaN薄膜层或者InP薄膜层或者二维材料薄膜层。

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