[发明专利]一种研磨结构及具有其的晶圆研磨装置

说明书

本发明涉及晶圆研磨装置清洗技术领域，具体涉及一种研磨结构及具有其的晶圆研磨装置。一种研磨结构，包括：壳体；弹性膜组件，所述弹性膜组件的侧壁与所述壳体间隙设置；通道，包括相互连通的冲击流道和清洗流道，所述冲击流道的第一入口开设于所述壳体的侧壁上，所述冲击流道的第一出口延伸至所述弹性膜组件的侧壁，所述清洗流道设于所述弹性膜组件的侧壁上。本发明提供了一种可对结晶的抛光液有效进行冲洗的研磨结构及具有其的晶圆研磨装置。

技术领域

本发明涉及晶圆研磨装置清洗技术领域，具体涉及一种研磨结构及具有其的晶圆研磨装置。

背景技术

集成电路，就是采用一定工艺，把一定数量的电子元器件以及这些元件之间的布线，集成在一起的具有特定功能的电路。CMP(化学机械抛光技术)是集成电路制造中获得平坦化的一种手段，它通过表面化学作用和机械研磨相结合，来实现基板(晶圆)表面纳米级不同材料的去除。

CMP设备在抛光的过程中，研磨头向下施加压力，使基板紧贴抛光垫。在此过程中，抛光液一方面提供磨料，辅助抛光，另一方面提供化学液，软化基板表层。因抛光液本身易结晶的性质，抛光液结晶会残留在主壳体与弹性膜组件的缝隙中。因此，一些抛光头会在主壳体顶部的边缘位置，设计垂直的进水槽，在清洗研磨头的过程中，水可以从进水槽口进入，沿着槽壁进入主壳体与弹性膜组件间的缝隙中，对弹性膜组件侧面及主壳体内壁进行冲洗。水流的冲击力直接作用在弹性膜的正面，削弱了水流的冲击，无法有效的冲洗缝隙。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中因水流冲击减小，无法有效冲洗缝隙的缺陷，从而提供一种可对结晶的抛光液有效进行冲洗的研磨结构及具有其的晶圆研磨装置。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种研磨结构，包括：

壳体；

弹性膜组件，所述弹性膜组件的侧壁与所述壳体间隙设置；

通道，包括相互连通的冲击流道和清洗流道，所述冲击流道的第一入口开设于所述壳体的侧壁上，所述冲击流道的第一出口延伸至所述弹性膜组件的侧壁，所述清洗流道设于所述弹性膜组件的侧壁上。

可选地，所述冲击流道的第一入口的水平位置高于第一出口的水平位置设置。

可选地，所述冲击流道的第一出口设于所述弹性膜组件的侧壁顶端。

可选地，所述冲击流道的第一出口的内径大于所述清洗流道的第二进口的内径。

可选地，所述冲击流道为等径设置，所述清洗流道的内径自第二进口至第二出口逐渐减小。

可选地，所述冲击流道的第一出口与所述清洗流道的第二进口之间设有圆弧状拐角。

可选地，所述壳体采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质。

可选地，所述壳体表面与所述通道的内壁上均设有聚四氟乙烯涂层。

还提供了一种晶圆研磨装置，包括本发明所述的研磨结构。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的研磨结构，包括壳体；弹性膜组件，弹性膜组件的侧壁与壳体间隙设置；通道，包括相互连通的冲击流道和清洗流道，冲击流道的第一入口开设于壳体的侧壁上，冲击流道的第一出口延伸至弹性膜组件的侧壁，清洗流道设于弹性膜组件的侧壁上。清洗液经过冲击流道进入清洗流道，其流向发生改变，使得清洗液平行作用于抛光液结晶表面，更有利于去除结晶；且因冲击流道的出口设于弹性膜组件的侧壁，相对于水流直接冲击弹性膜的表面，对弹性膜的冲击力较小，相应的水流的冲击力被削弱地也较小，进而对缝隙中的结晶进行有效冲洗。